準一維納米結(jié)構(gòu)電子輸運的梯度無序與結(jié)散射效應.pdf

1、準一維納米結(jié)構(gòu)電子輸運性質(zhì)是當前凝聚態(tài)物理領(lǐng)域研究的熱門課題之一。它展示了許多獨特的物理特性,擁有廣闊的應用前景。在納米材料的制備過程中,由于摻雜、空位以及吸附等原因,常常會引入無序。大量的理論及實驗證明無序是影響納米體系電子輸運性質(zhì)的重要因素。本論文發(fā)展了格林函數(shù)方法系統(tǒng)地研究了無序?qū)室痪S納米結(jié)構(gòu)體系中電子輸運的影響。其目的在于揭示這些體系中一些新的物理機制,為納米器件的設計及應用提供理論依據(jù)。本論文主要包括以下幾部分:
　　

2、第一章是引言,簡單介紹了準一維納米材料以及無序體系的相關(guān)理論背景。第二章是研究的理論基礎以及格林函數(shù)方法的簡要介紹。
　　第三章中,考慮實際體系的梯度無序和結(jié)散射,發(fā)展格林函數(shù)矩陣分解消元方法,研究了準一維納米線的電子輸運性質(zhì)。結(jié)果表明,由于結(jié)散射,電導隨能量呈現(xiàn)振蕩行為,無序的引入破壞了電子相干性,在低無序度區(qū)平均電導呈現(xiàn)異常增加,出現(xiàn)一個新的電導峰。當表面存在無序但無梯度衰減時,體系的平均電導隨無序度增強先減后增,出現(xiàn)類局域-

3、退局域性轉(zhuǎn)變。當表面無序線性衰減時,平均電導在強無序區(qū)稍有增加,而當表面無序高斯型衰減時,平均電導指數(shù)衰減,類局域-退局域性轉(zhuǎn)變消失,不同于以前的理論預言。
　　在第四章中,基于緊束縛理論,考慮了不同無序效應以及結(jié)散射對鋸齒型石墨納米帶的電子輸運性質(zhì)的影響。在計算過程中分別摸擬了高斯形式的長程無序,以及邊緣無序兩種情況時,無序?qū)w系電子輸運性質(zhì)的影響。通過計算我們得到鋸齒型石墨納米帶的電子輸運性質(zhì)與無序效應以及結(jié)散射作用密切相關(guān)。