聚糖類駐極體基硫化鎘納米復(fù)合膜的制備及其紅外輻射特性的研究.pdf

1、本文以殼聚糖(CS)、Cd(AC)<,2>、Na<,2>S為原料，常溫下分別用共混法(將CdS納米粒子與CS超聲混合)和一步法(將H<,2>S(g)通入殼聚糖與Cd(AC)<,2>的復(fù)合膜中，生成CdS)，制備了CS/CdS納米復(fù)合膜；以魔芋葡甘露聚糖(KGM)、Cd(AC)<,2>、Na<,2>S為原料常溫下分別用一步法和共混法制得了KGM/CdS納米粒子復(fù)合膜；以CS、KGM、Cd(AC)<,2>、Na<,2>S為原料，常溫下用一步

2、法制得了CS/KGM/CdS納米復(fù)合膜CS與KGM的質(zhì)量比為7:3。用IR、TEM、SEM、IR-1紅外輻射儀對(duì)納米復(fù)合膜的微觀結(jié)構(gòu)及其組成進(jìn)行分析，探討了制備條件對(duì)納米復(fù)合物的結(jié)構(gòu)與紅外發(fā)射率的影響，獲得了以下結(jié)果： 1．用一步法制得紅外發(fā)射率較低的CS/CdS納米復(fù)合膜，其中CdS納米粒子為六方形。與共混法制得的薄膜相比，CdS納米粒子的分散均勻程度、粒徑可控方面都較優(yōu)異；而且CS與CdS納米粒子的比例調(diào)節(jié)范圍更寬(10～1

3、00nm)，復(fù)合膜紅外發(fā)射率更低：當(dāng)CdS納米粒子粒徑范圍在10～20nm，CdS與CS結(jié)構(gòu)單元的比例為1.0時(shí)，一步法制得的薄膜的紅外發(fā)射率(8～14μm)達(dá)到最低，其值為0.013。如此低的紅外發(fā)射率歸因子CS與CdS納米粒子之間存在較強(qiáng)烈的相互作用。 2．用一步法制得紅外發(fā)射率較低的KGM/CdS納米復(fù)合膜，其中CdS納米粒子為單分散的、球形。與共混法制得的薄膜相比，CdS納米粒子的分散均勻程度、規(guī)整程度都較優(yōu)異：而且KG

4、M與CdS納米粒子的比例調(diào)節(jié)范圍更寬(10～80nm)，可控性更強(qiáng)，與CdS納米粒子之間存在更強(qiáng)烈的相互作用，使得復(fù)合膜紅外發(fā)射率更低：當(dāng)CdS納米粒子粒徑范圍在10～20nm，CdS與KGM結(jié)構(gòu)單元的比例為1.2時(shí)，一步法制得的薄膜的紅外發(fā)射率(8～14μm)達(dá)到最低，其值為0.011。 3．用一步法制得含有樹枝狀、CdS納米粒子的紅外發(fā)射率較低的CS/KGM/CdS復(fù)合膜，其中CdS納米粒子形態(tài)和大小可控；CS/KGM與Cd