精簡管腳閃存測試的研究和實現(xiàn).pdf

1、此論文從集成電路測試應(yīng)用開發(fā)工程師角度，分析集成電路通用故障模型。從應(yīng)用角度給出集成電路靜態(tài)參數(shù)測試原理的模型和方法，包括有：接觸測試、漏電流、輸入電壓、輸出電壓和電流、電源電流；功能測試原理和方法；動態(tài)參數(shù)測試原理和方法，其包括有：設(shè)置時間，保持時間，延遲時間和最小脈沖。 討淪存儲器芯片的結(jié)構(gòu)模型和故障模型，得出相應(yīng)測試要求，進而選擇相應(yīng)測試方法，其中詳細討論存儲器測試的各種測試圖形和I讀寫方法，及其可處理的故障。測試圖形包括

2、有：全0和全1、正反棋盤格，正反對角線。讀寫方法有：行優(yōu)先，列優(yōu)先，齊步法，走步法，跳步法。給出實際存儲器測試設(shè)備的結(jié)構(gòu)和工作原理，并分析兩種不同體系結(jié)構(gòu)存儲器測試設(shè)備的優(yōu)缺點。 討論閃存NOR型和NAND型基本結(jié)構(gòu)，工作原理并比較其性能，給出閃存的結(jié)構(gòu)模型，總結(jié)閃存測試模式。給出實際閃存的測試流程，詳細分析晶圓測試和成品測試的測試要求。 通過實現(xiàn)某一精簡管腳閃存芯片測試的實例，分析此類芯片的測試挑戰(zhàn)，并提出相應(yīng)的測試方