MLC NAND閃存失效模式的測試與分析.pdf

1、為了提高信息技術的整體發(fā)展水平，基于閃存(Flash)的固態(tài)硬盤(Solid State Disk, SSD)因存取速度快、抗震防摔、功耗低、噪聲低等優(yōu)良特性被廣泛應用于存儲解決方案中。固態(tài)硬盤中閃存以芯片的形式存在，其中MLC NAND閃存芯片的應用最為廣泛。近些年來，生產(chǎn)廠商不斷提高閃存芯片的工藝制程以滿足用戶對更大容量、更低成本的需求，但同時，閃存芯片的使用壽命和存儲可靠性受到了嚴重影響。深入研究閃存的失效模式，以尋求解決方案，具

2、有重要的意義。
　　分析閃存的存儲原理、組織方式和讀寫機制，提出閃存在使用過程中存在的三種失效模式，包括寫干擾錯誤、寫入錯誤、讀干擾錯誤。設計并實現(xiàn)了一個硬件平臺，通過該平臺可直接訪問閃存芯片并獲取到介質中的原始數(shù)據(jù)，同時開發(fā)了一個基于此平臺的測試系統(tǒng)。針對每一種失效模式設計對應的測試方案，統(tǒng)計訪問過程中出現(xiàn)的比特錯誤以研究對應的失效模式。
　　通過實驗得出以下結論：(1)物理頁的分配方式不同，寫干擾造成的比特錯誤數(shù)也不同，