12位200MS-s高SFDR電流舵DAC設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在通信系統(tǒng)中,提高數(shù)據(jù)傳輸速率、增大信號帶寬已成為發(fā)展趨勢。由于數(shù)字通信在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的主導地位,數(shù)模轉換器(DAC)也成為現(xiàn)代通信系統(tǒng)中一個不可或缺的重要模塊。與通信系統(tǒng)的發(fā)展趨勢相一致,高速、寬帶也是DAC設計技術的發(fā)展方向。
  高速、寬帶要求DAC具有良好的頻域特性,無雜散動態(tài)范圍(SFDR)是衡量DAC頻域特性的主要性能指標。應用于寬帶通信系統(tǒng)的高速、寬帶 DAC一般采用電流舵型結構?;谶@種結構,在全面分析影響電流舵

2、DAC SFDR的因素后,得出一個結論:電流源開關單元輸出阻抗的頻率特性是限制 SFDR的主要因素。針對這種因素設計了高性能的電流源開關電路以提高SFDR。
  重點分析了同步鎖存器電路,總結了同步鎖存器設計要點。在傳統(tǒng)的同步鎖存器基礎上,改進同步鎖存器結構以提高電流舵DAC的SFDR。設計了一個低溫漂(1ppm/℃)、高電源抑制比(86dB)的帶隙基準為電流舵DAC提供偏置電壓。
  12位200MS/s高SFDR電流舵D

3、AC采用SMIC0.18μm CMOS工藝進行設計、仿真。在1MHz、10MHz、50MHz、100MHz輸入信號頻率下,信號失真比(SNDR)分別為74dB、73dB、70dB、67dB;有效位數(shù)分別達到了12、11.9、11.2以及10.8;SFDR分別為93dB、83dB、71dB、68dB。其中SFDR前仿真結果好于近幾年國內發(fā)表的同種性能水平論文,實現(xiàn)了課題中高SFDR的要求。整體電路建立時間為2ns,功耗為23mW,版圖面積

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