版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、等離子體刻蝕技術(shù)因其較高的刻蝕速率、良好的方向性和材料選擇性等優(yōu)勢得到了廣泛應(yīng)用。但在傳統(tǒng)的刻蝕加工中,等離子體作用于整個樣品表面,需要昂貴的設(shè)備及復(fù)雜的圖形轉(zhuǎn)移工藝來實現(xiàn)局域加工。近年來,許多研究者嘗試將等離子體限制在1mm以下的微結(jié)構(gòu)中,可實現(xiàn)局部無掩膜刻蝕。然而,這些微等離子體無掩膜刻蝕器件通常只能達(dá)到百微米的刻蝕分辨率,遠(yuǎn)不能滿足更高精度加工的需求。為此,我們提出了一種基于并行探針驅(qū)動的掃描等離子無掩膜體加工方法,即將倒金字塔微
2、放電器集成在掃描探針的針尖上,利用倒金字塔空心陰極效應(yīng)放電產(chǎn)生高濃度等離子體,并將其通過針尖尖端的納米孔導(dǎo)出到樣品表面,實現(xiàn)亞微米量級的無掩膜掃描加工。
倒金字塔微放電器是無掩膜掃描等離子體刻蝕系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件,主要包括陽極金屬Ni/聚酰亞胺(PI)絕緣層/陰極金屬Ni 三層結(jié)構(gòu),并且具有倒金字塔空心陰極。本文研究了該微放電器的尺寸優(yōu)化、工藝制備、測試系統(tǒng)搭建和性能測試,實現(xiàn)了微放電器在SF6中穩(wěn)定放電。
由
3、于倒金字塔微放電器集成在探針上,這引起倒金字塔中電場的改變,從而引起等離子體分布和性能的改變。因此,本文使用ANSYS 軟件對微放電器電場仿真,重點研究了陰陽電極和絕緣層幾何尺寸等對電場分布的影響,獲得了有利于等離子體產(chǎn)生和維持的結(jié)構(gòu)尺寸。
制作過程中,微放電器中倒金字塔深槽的存在使得陽極Ni的圖形化、PI 絕緣層的制備和圖形化相當(dāng)困難。針對以上工藝難點,本文重點做了以下幾方面的研究:(1)利用濺射反轉(zhuǎn)法剝離工藝實現(xiàn)陽極N
4、i的圖形化,提高了電極圖形精度和薄膜質(zhì)量,并簡化了工藝過程。(2)研究PI 制備中固化工藝參數(shù)對PI 膜厚、亞胺化程度和介電特性的作用,并優(yōu)化工藝參數(shù),得到質(zhì)量、性能良好的PI 膜。
(3)研究PI 圖形化中RIE 刻蝕參數(shù)對PI 刻蝕速率、表面粗糙度和刻蝕殘留物的影響,優(yōu)化試驗參數(shù),在保證PI 圖形化質(zhì)量的同時,提高刻蝕速率。基于以上制作工藝,成功制作出了質(zhì)量良好的倒金字塔微放電器。
最后,本文設(shè)計并搭建了
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 用于無掩膜刻蝕的微放電器的工藝和性能研究.pdf
- 煤加氫等離子體反應(yīng)器性能的研究.pdf
- 等離子體反應(yīng)器的優(yōu)化設(shè)計.pdf
- 基于大氣壓微等離子體射流的無掩膜刻蝕聚合物薄膜研究.pdf
- 37421.大氣壓微細(xì)冷等離子體射流特性及其無掩膜刻蝕研究
- 同軸降膜放電反應(yīng)器等離子體降解布洛芬的技術(shù)研究.pdf
- 低溫等離子體降解VOCs的DBD反應(yīng)器優(yōu)化探索和產(chǎn)物分析.pdf
- 脈沖電暈非熱等離子體煙氣脫硫反應(yīng)器的研究.pdf
- 等離子體刻蝕輪廓的數(shù)值研究.pdf
- 硅基材料的ECR等離子體刻蝕工藝研究.pdf
- 常壓等離子體對聚酰胺6膜的刻蝕研究.pdf
- 氫氧等離子體合成H2O2反應(yīng)器和反應(yīng)條件優(yōu)化.pdf
- 渦流電弧等離子體反應(yīng)器內(nèi)流場數(shù)值模型.pdf
- SiCOH薄膜的雙頻等離子體刻蝕研究.pdf
- 等離子體刻蝕的物理基礎(chǔ)研究.pdf
- 等離子體反應(yīng)的酸性特征
- 基于擴散限制刻蝕模型的等離子體刻蝕模擬研究.pdf
- 基于SPM的微等離子體無掩模掃描刻蝕加工方法的研究.pdf
- 40nm硅柵等離子體刻蝕工藝開發(fā)優(yōu)化.pdf
- PLC控制的電感耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)及刻蝕研究.pdf
評論
0/150
提交評論