SiO-,2-薄膜和磷鋁吸雜對太陽電池用硅片少子壽命的研究.pdf

1、表面鈍化技術(shù)已成為太陽電池工業(yè)化生產(chǎn)的一項重要工藝，對提高太陽電池的開路電壓和短路電流起著極其關(guān)鍵的作用。對于世界上超過20％的單晶硅太陽電池?zé)o一例外的均采用了表面鈍化技術(shù)，使得少子壽命得到了很大提高，從而得到較高的開路電壓和短路電流。同時在晶體生長和制備太陽電池的工藝過程中不可避免的會引入一些金屬雜質(zhì)（如Na、Fe、Cu 和Au 等），而這些金屬雜質(zhì)和硅片內(nèi)的微缺陷形成了一些深能級，并成為少子復(fù)合中心，降低了少子壽命和擴散長度，嚴(yán)重影

2、響了硅太陽電池的效率。如何消除表面態(tài)和這些金屬雜質(zhì)對硅太陽電池的影響就成為當(dāng)前研究的主要課題之一。 本文的研究目標(biāo)是利用不同的熱氧化法生長的SiO2 薄膜對硅片表面進行有效的表面鈍化，利用磷鋁吸雜對電池進行有效的吸雜，提高電池樣品的少子壽命和轉(zhuǎn)換效率。 本章采用的是傳統(tǒng)熱氧化法（CTO）、摻氯熱氧化法（TCA）和快速熱氧化法（RTO）對硅片表面采用表面鈍化技術(shù),用磷鋁吸雜的方法對多晶硅太陽電池進行吸雜。實驗前后均采用微波

3、誘導(dǎo)光電導(dǎo)衰減法測試儀（μ－PCD）對樣品進行少子壽命的測試。用橢圓偏振光測試儀對樣品進行薄膜厚度和折射率的測量。用電池效率測試儀對電池樣品進行效率的測量。 利用CTO，TCA，RTO 對樣品進行表面鈍化，均能得到較高的少子壽命。TCA 生長薄膜速度快，但分解溫度較高，在一定程度上降低了硅片的少子壽命，若能尋求一種含Cl并且分解溫度較低的工業(yè)用品，再與RTO 工藝進行有效的結(jié)合，應(yīng)該是未來工業(yè)電池表面鈍化技術(shù)一個不錯的選擇；經(jīng)過