Si3N4陶瓷二次部分瞬間液相連接過程的數(shù)值模型及模擬.pdf

1、本文在前人對部分瞬間液相(Partial Transient Liquid Phase，簡稱PTLP)連接技術(shù)研究的基礎(chǔ)上，總結(jié)了目前存在的問題，針對二次部分瞬間液相連接技術(shù)進行了系統(tǒng)的研究。進行了Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4的部分瞬間液相連接和Si3N4/Ti/Cu/Ni/Cu/Ti/Si3N4的二次部分瞬間液相連接。采用SEM和EDS等微觀分析手段分析了連接界面區(qū)域的成分分布和微觀結(jié)構(gòu)；首次對連接界面區(qū)域的元素擴散行為和

2、接頭殘余應(yīng)力的分布進行了數(shù)值模擬；第一次提出了陶瓷/陶瓷(金屬)二次部分瞬間液相連接的數(shù)值模型。本文提出了描述陶瓷二次PTLP連接過程和選擇二次PTLP連接參數(shù)的模型，并對該模型的具體應(yīng)用作了闡述。在一定連接溫度下，對特定的陶瓷和中間層連接系統(tǒng)，選擇陶瓷二次PTLP連接參數(shù)的路線是：①確定最佳反應(yīng)層厚度；②決定活性中間層厚度；③確定連接時間。利用熱彈塑性有限元方法，模擬分析了Si3N4陶瓷二次PTLP連接接頭殘余應(yīng)力分布狀態(tài)和中間層