CVD工藝制備二氧化錫納米材料.pdf

1、二氧化錫是一種n型寬禁帶半導體(Eg=3.6 eV，at 300 K)，被廣泛應用于光電器件、氣體傳感器、光催化劑、納米篩膜、玻璃涂層、太陽能電池的透明電極和鋰離子電池的陽極材料等。 在不同實驗條件下，用CVD工藝制備了各種形貌的未摻雜及銻摻雜的二氧化錫納米材料。利用X射線衍射儀(ZXRD)、透射電鏡(TEM)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、光致發(fā)光(PL)等對樣品的形貌、結構和性能進行測試與分析，主要內容如下： 1、多

2、孔陽極氧化鋁模板被廣泛地用來制備多種材料的納米線，納米管等。我們用草酸溶液作為電解液，制備了多孔陽極氧化鋁模板。采用二次氧化法制備出的氧化鋁模板孔洞排列有序，孔道平行且直徑均勻。通過擴孔處理，這些孔洞的直徑可以在30-100nm范圍內變化。 2、制備了形貌比較獨特的一維SnO<,2>材料，包括納米線、樹枝狀納米棒和刀狀納米片。為了實現納米材料結構設計的可控性及其大規(guī)模生產，這就要求我們嚴格、系統地掌握不同形貌的的制備參數。研究發(fā)

3、現影響樣品形貌的主要因素是溫度和基底。我們研究了多孔氧化鋁模板的溫度和有無Au納米粒子對樣品形貌的影響，并且嘗試解釋了不同形貌樣品的形成機理。 3、在有Au納米粒子鑲嵌的AAO上，利用錫粒和銻粉為原料制備了Sb摻雜的SnO<,2>，樣品呈階梯狀。其中鑲嵌的Au粒子為催化劑，摻雜的SnO<,2>為單晶。光致發(fā)光發(fā)現未摻雜的樣品發(fā)綠光，摻雜以后發(fā)光帶有很明顯的紅移，這可能是由Sb摻雜引起的。另外我們還研究了不同摻雜量對樣品形貌的影響