二氧化錫粉體的制備研究.pdf

1、二氧化錫是一種n型寬禁帶半導體材料，因其特殊的氣敏性質(zhì)，最早是被用作氣敏傳感器的材料。二氧化錫在電磁波可見光范圍內(nèi)的吸收率小從而具有極高的透射率，使其在光學方面有著廣泛的應用。另外，隨著納米科技的發(fā)展，納米結構的二氧化錫由于其在光學、電學、催化、氣敏、壓敏、熱敏、濕敏等方面具有優(yōu)異的性能，得到了極大的重視和廣泛的研究。目前，對二氧化錫材料的研究主要包括形貌的控制、材料的摻雜和包覆、納米結構的組裝以及材料的各種應用。掌握了對二氧化錫材料的

2、可控合成，就可以有目的地調(diào)控其各項性質(zhì)參數(shù)，并最終實現(xiàn)其應用價值。
　　實驗以硫酸亞錫、氯化亞錫為主要錫源，采用液相化學法制備用于摻雜入銀系電觸頭材料的二氧化錫粉體。從不同的反應體系、混合方式、反應物的濃度、分散劑的用量、反應溫度等工藝參數(shù)的控制入手，對二氧化錫粉體的形貌、顆粒大小及尺寸分布等性質(zhì)進行研究。采用掃描電子顯微鏡(SEM)，透射電子顯微鏡(TEM)，X射線衍射（XRD）等檢測手段對二氧化錫粉體的性質(zhì)進行了表征。并對實驗

3、中粉體顆粒的形核-長大機理進行了初步的探討。
　　硫酸亞錫加尿素水解制備二氧化錫粉體的實驗中，分別加入不同的分散劑，所得的粉體有顆粒狀、片狀形貌。在硫酸亞錫與草酸反應制備SnO2粉體的過程中，選擇反滴及傾注式混合方式可以制備出微米級的棒狀粉體，且在未添加分散劑的條件下保持較好的分散性。另外，反應溫度的不同會影響粉體的尺寸大小和形狀。研究發(fā)現(xiàn)，時效對反滴的樣品形貌及尺寸并未產(chǎn)生影響。
　　氯化亞錫水解制備二氧化錫粉體的實驗中，

4、混合方式、反應溫度以及分散劑均對粉體的粒徑產(chǎn)生了不同程度的影響。氯化亞錫與堿類化合物的反應制備二氧化錫粉體這一方法雖然制備出所需粉體，但形貌和尺寸以及煅燒后形貌、尺寸難以滿足要求，不適合作為有效的制備方法。而氯化亞錫與草酸反應制備二氧化錫粉體這一方法中，混合方式以傾注和反滴為佳，制得的前驅(qū)體形貌規(guī)則，尺寸均勻，經(jīng)煅燒后，反滴的樣品形貌保持較好。
　　研究結果表明:五種反應體系的制備方法制備出了各種形貌、不同尺寸的二氧化錫粉體，形貌