濺射CoSi-,2-薄膜及其組織結(jié)構(gòu).pdf

1、本文設(shè)計并制備出CoSi2合金靶材，濺射相應(yīng)的薄膜體系。分析測試表明，薄膜中元素分布均勻，與靶材成分基本吻合。研究了非晶薄膜晶化與相變過程，發(fā)現(xiàn)薄膜晶化后首先析出CoSi相，部分Si原子固溶在CoSi中，隨著加熱溫度的升高，最終轉(zhuǎn)變?yōu)镃oSi2結(jié)構(gòu)。研究了薄膜的組織結(jié)構(gòu)及性能，建立了絲織構(gòu)測量的簡易方法，實現(xiàn)薄膜織構(gòu)的定量測量。完善了X射線衍射的線形分析方法，精確測量了薄膜材料中的晶粒尺寸及顯微畸變等。探討了濺射功率、基片溫度及后續(xù)熱

2、處理等參數(shù)對薄膜組織結(jié)構(gòu)、表面形貌以及導(dǎo)電性的影響。結(jié)果表明，濺射速率與濺射功率呈線性關(guān)系。隨著濺射功率的增大，晶化薄膜中(111)織構(gòu)增強，電阻率有所降低。隨著基底溫度的升高，薄膜織構(gòu)最初增強，到達最高值后則降低。隨著熱處理退火溫度的升高，薄膜電阻率最初下降，到達最低值后則升高。改進X射線應(yīng)力測量方法，將掠射、側(cè)傾、內(nèi)標及拋物線定峰結(jié)合起來，確保了應(yīng)力測量精度。結(jié)果表明，薄膜內(nèi)部存在中等水平的壓應(yīng)力，沿薄膜縱深方向分布均勻，表現(xiàn)出典