紫外光刻法制備圖案化的低維納米結構陳列.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、青島大學碩士學位論文紫外光刻法制備圖案化的低維納米結構陳列姓名：王樹龍申請學位級別：碩士專業(yè)：材料學指導教師：宋國君20080601青島人學碩士學位論文AbstractInthispassage，thesteadyphotoetchingtechnologyofBP一212positivephotoresistisresearchedBP212positivephotoresistisusedinpatterningglassandan

2、odicaluminumoxide(AAO)templatesThebestphotoetchingtechnologyconditionsarefllowing：thespinphotoresistvolumeis02ml；thelowrollingspeedis600r／minandspinning5second；thehighrollingspeedis2500r／minandspinning30second；thetimeofp

3、recedingdryingis15minute；thetimeofexposureis50second；thetimeofafterdryingis15minuteUltravioletradiation(UV)photolithographicmethodsareutilizedtoformsetpatternsontoporousanodicaluminumoxide(nnO)templatesThen，polystyreneon

4、e—dimensionalnanostructuresarepreparedbydepositingasolutionofpolymerintothismodifiedtemplateBP212positivephotoresistisusedinpatterningAAOtemplatesSamplesaredissolved1or2hoursbymixtureofphosphoricacidandchromicacidorNaOHs

5、olventThen，patternedpolystyrenenanowirearraysareproducedTheproductswerecharacterizedbyscanningelectronmicroscopy(SEM)andX—rayenergydispersivespectroscopy(EDS)TheresultsofSEMilluminatedthatthepatterncontainsmanyidenticalc

6、ircularstructures，thediameterofeachrotundityisabout5∥mAndthespacebetweeneachcircularityisalso5llmAndthepatternedpolystyrenenanowirearrayscompletelycopiedthepatternonthemaskCunanowiresaresuccessfullypreparedviaelectrochem

7、icaldecompositionintheAAOmembraneofa200nminaperturediameterBesides，patternedCunanowiresarefabricatedbypholithographyBythismethodthedepositingtimecanbecontrolledtogetCunanowireswithvariouslength／diameterratio，andthepatter

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