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1、極紫外光刻(EUVL)與傳統(tǒng)光刻技術(shù)相比具有潛在的高分辨率優(yōu)勢(shì),是光刻進(jìn)入45nm乃至32nm節(jié)點(diǎn)的主要候選技術(shù)。目前開發(fā)滿足產(chǎn)業(yè)化需求的EUVL設(shè)備還存在諸多困難,其中影響光刻性能的反射鏡溫度變化和由此帶來(lái)的熱變形是重點(diǎn)考慮的問題之一。 報(bào)告圍繞EUVL,六面光學(xué)反射鏡熱、結(jié)構(gòu)變形的問題,利用有限元仿真方法深入研究了反射鏡在滿足產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)條件下,吸收EUV能量后瞬態(tài)溫度變化以及由此帶來(lái)的熱變形影響。研究結(jié)果如下: 第一
2、:隨著吸收EUV能量的時(shí)間增加,反射鏡溫度都升高并逐漸達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。同時(shí)反射鏡本身結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也影響溫度變化和達(dá)到平衡態(tài)的時(shí)間。所有反射鏡在clear aperture區(qū)域升溫最高。M3反射鏡達(dá)到溫度平衡狀態(tài)需要時(shí)間最長(zhǎng),耗時(shí)7.59h。M5反射鏡表面升溫最高,達(dá)到8.48℃;在溫度震蕩平衡態(tài)下振幅最大,達(dá)到1.52℃;在clear aperture區(qū)域內(nèi)部特定時(shí)刻不同位置溫度差別最大,達(dá)到1.39℃。 第二:每一面反射鏡隨著溫
3、度升高,本身的熱變形都增大。最大結(jié)構(gòu)變形多發(fā)生在反射鏡的上表面邊緣部分。在clear aperture區(qū)域,M5反射鏡變形最大,3D變形達(dá)到了2.40rim(RMS),2D變形達(dá)到了2.12nm(RMS);M1反射鏡變形最小,3D變形最大僅有0.11nm(RMS),2D變形最大僅有0.09nm(RMS)。 每一面反射鏡clear aperture區(qū)域非球面變形也都隨著溫度升高而逐漸增大。M5反射鏡最大非球面變形達(dá)到0.63nmq
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