極紫外光刻掩模熱變形及其對(duì)光刻性能的影響.pdf

1、極紫外光刻是實(shí)現(xiàn)45nm及其以下節(jié)點(diǎn)的主要候選技術(shù)之一，隨著圖形特征尺寸逐漸減小，曝光過程中掩模熱變形對(duì)光刻性能的影響越來越嚴(yán)重。因此，全面分析曝光過程中掩模熱變形并研究其對(duì)光刻性能的影響是非常有意義的。本文針對(duì)產(chǎn)量為81片/小時(shí)的極紫外光刻系統(tǒng)，使用有限元方法建立模型，全面分析不同條件下掩模熱變形，并研究掩模熱變形對(duì)光刻膠圖形的影響。具體工作分為兩部分。 首先研究極紫外光刻曝光過程中掩模熱變形。掩模約在工作500~600s內(nèi)溫

2、度以及變形分布達(dá)到穩(wěn)態(tài)，達(dá)到穩(wěn)態(tài)后處于振蕩平衡狀態(tài)。分析了基底材料分別使用ULE玻璃和石英玻璃時(shí)，掩模與卡盤間接觸熱傳導(dǎo)系數(shù)、掩模圖形密度以及掩模與卡盤間摩擦力對(duì)掩模熱變形的影響。增大掩模與卡盤間接觸熱傳導(dǎo)系數(shù)、分散布置吸收極紫外光比率大的圖形模塊、控制和利用掩模與卡盤間摩擦力，可使得掩模熱變形達(dá)到最小。 其次，利用有限元計(jì)算結(jié)果，分析掩模熱變形對(duì)光刻性能的影響。對(duì)于密集線條、半密集線條和孤立線條，掩模熱變形引起的光刻膠圖形CD