版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,我們的日常生活和半導(dǎo)體的關(guān)系越來(lái)越緊密了。無(wú)論是電腦,手機(jī)這種顯而易見(jiàn)的電子產(chǎn)品,還是在醫(yī)療,航空這類(lèi)高精尖的技術(shù)領(lǐng)域,都離不開(kāi)半導(dǎo)體芯片。而隨著社會(huì)的發(fā)展和進(jìn)步,人們對(duì)電子產(chǎn)品的要求越來(lái)越高,希望手機(jī)體積可以更小速度可以更快,希望電腦可以更便宜性能可以更高,人類(lèi)前進(jìn)的動(dòng)力源頭其實(shí)就是自身的需求。因此在上世紀(jì)九十年代后,半導(dǎo)體工業(yè)每?jī)芍寥昃涂梢钥缟弦粋€(gè)新的臺(tái)階。隨之而來(lái)的就是電子產(chǎn)品空前的繁榮和豐富。
2、而隨著電子產(chǎn)品對(duì)芯片性能的要求越來(lái)越高,外延這個(gè)新工藝越來(lái)越受到人們的重視。因?yàn)槿缃竦漠a(chǎn)品,不但后續(xù)的工藝不能有半點(diǎn)馬虎,還必須對(duì)晶片本身的制備進(jìn)行諸多限制和提升,只有這樣,才能夠滿足最終的產(chǎn)品要求。而外延工藝可以提供近乎純凈的單晶硅層,可以極大的提升器件的性能,雖然在一定的程度上會(huì)提高成本,但是和優(yōu)點(diǎn)比起來(lái),這點(diǎn)成本還是可以被接受的。不過(guò)任何工藝都會(huì)有它自身的難點(diǎn)和缺點(diǎn),外延工藝也不例外。在外延工藝中,會(huì)帶來(lái)一些特有的無(wú)法避免的缺陷,
3、而這些缺陷又會(huì)對(duì)半導(dǎo)體工藝中的其他制程產(chǎn)生影響。如何控制這些影響將會(huì)是工藝中的重點(diǎn),也是外延工藝能夠被廣泛應(yīng)用的前提。
本文首先對(duì)微電子技術(shù),集成電路,半導(dǎo)體制造基本流程進(jìn)行了簡(jiǎn)單的概述。接著介紹了光刻的基本工藝流程以及對(duì)準(zhǔn)的原理,最后在重點(diǎn)介紹了外延工藝的原理,特點(diǎn),工藝,缺陷等相關(guān)的知識(shí)的基礎(chǔ)上,結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)中的實(shí)例研究了圖形漂移對(duì)光刻對(duì)準(zhǔn)的影響以及應(yīng)對(duì)辦法。由于在先進(jìn)的工藝中,外延的應(yīng)用率很高并且光刻對(duì)準(zhǔn)的要求也很高,因
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- Ⅳ-Ⅵ族半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)及其特性研究.pdf
- Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長(zhǎng)與表征研究.pdf
- ZnO基磁性半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)、磁性、輸運(yùn)和光致發(fā)光譜研究.pdf
- III族氮化物半導(dǎo)體外延層薄膜的生長(zhǎng)與表征研究.pdf
- 基于半導(dǎo)體外延片生產(chǎn)的制造執(zhí)行系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn).pdf
- 銻化物半導(dǎo)體超晶格外延生長(zhǎng)與表面結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 半導(dǎo)體光放大器的MOCVD外延生長(zhǎng)工藝研究.pdf
- InAsQD外延生長(zhǎng)與雙電極SOA對(duì)光傳輸誤碼的影響.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體SiC和ZnO的外延生長(zhǎng)及其摻雜的研究.pdf
- 半導(dǎo)體外文翻譯
- 氧化物半導(dǎo)體材料的分子束外延生長(zhǎng)及其光電特性研究.pdf
- 多元氧化物半導(dǎo)體薄膜分子束外延生長(zhǎng)及性能研究.pdf
- 半導(dǎo)體光刻中晶圓缺陷問(wèn)題的研究.pdf
- 半導(dǎo)體光刻中晶圓缺陷問(wèn)題的研究
- ZnO基稀磁半導(dǎo)體單晶薄膜的分子束外延生長(zhǎng)以及性能研究.pdf
- 介電氧化物薄膜在GaN半導(dǎo)體上的外延生長(zhǎng)與性能研究.pdf
- 極紫外光刻掩模熱變形及其對(duì)光刻性能的影響.pdf
- Ⅲ-Ⅴ族材料外延生長(zhǎng)的動(dòng)力學(xué)模擬仿真及半導(dǎo)體晶片鍵合的實(shí)驗(yàn).pdf
- 1.06μm半導(dǎo)體激光器材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與外延生長(zhǎng)
- 碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體薄膜的異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)及其結(jié)構(gòu)性質(zhì)分析.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論