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1、上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文CF在130nm產(chǎn)品中接觸孔通孔干法刻蝕工藝中的應(yīng)用姓名:邱鵬申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):軟件工程指導(dǎo)教師:程秀蘭陳曉軍200805083C4F6CHEMISTRYAPPLICATIONIN130NMCTVIADRYETCHABSTRACTAnadvancedDielectricetchprocesswindowwithC4F6basedchemistryhasbeendevelopedfthedevicetechn
2、ologyof0.13umbeyondusinganeMaxchamberutilizinganMERIEtechnology.HighernitridephotesistivitywideretchstopwindowhavebeenachievedthanC4F8.Byimprovementetchprocesswindowthenewetchprocessiscapableofetchingbothlowhighaspectrat
3、iostructureswithupto30:lnitrideivitygreaterthan87profilecanimproveCDetchprofile.thealreadyexistingC4F6gastubeineMAXweneednottochangegassystem.A0.13umprocesswithCTViaetchapplicationhasbeendevelopedusingineMAXdielectricetc
4、hchamber.UsingC4F6CTViaetchbasedexperimentdata.Thetradeoffbetweennitridecnerivityetchstopmarginwasobservedfmostparameters.WafertemperaturechamberpressureRFreactivegasflowarethemostdominanttuningknobsfnitridephotesistivit
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