45nm半導體器件接觸孔連接工藝的研究與改進.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半個多世紀以來，在摩爾定律的驅動之下，集成電路工藝技術有了長足進步。目前45nm工藝已經(jīng)成為半導體技術的主流。金屬鎢擁有的良好化學穩(wěn)定性和抗電遷移能力。因此鎢栓工藝仍然是45nm節(jié)點中連接器件源/漏、柵極和金屬互連線的重要組成部分。鎢栓工藝必須配合Ti/TiN沉積工藝來使用。隨著工藝尺寸的不斷減小，孔洞深寬比(AR)的不斷提高，傳統(tǒng)的鎢栓工藝正面臨巨大的技術難題。
　　本文基于45nm工藝技術，介紹沉積Ti/TiN薄膜所使用的金屬

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