45nm光刻板缺陷在硅片上的成像性研究.pdf

1、目錄目錄第一章引盲.......……，............................................................................................……31.1研究技術(shù)背景....................................................................................……31.2光刻版缺陷可成

2、像性研究的理論意義............................................……41.2.1檢驗機臺的檢測能力..……，...........................................................……41.2.2檢驗機臺的程序設置....................................................................…

3、…51.2.3AIMS的技術(shù)局限性...........……，........................……，..............……，.……61.3本文主要內(nèi)容與意義.......................................................................……6第二章光刻板相關工藝.............................................

4、.........................................……82.1光刻及光刻板介紹............................................................................……82.1.1光刻介紹......……，....................................................................

5、......……82.1.2光刻板................................……，....................................................……82.1.3光刻板結(jié)構(gòu)介紹.................................................................................……92.2光刻版制作流程.......

6、...........……，....................................................……122.2.1.前期數(shù)據(jù)處理............................................................................……122.2.2.光刻版制作工藝流程.....……，...................................

7、.................……13第三章光刻版缺陷設計與光刻板制作...……，....................................................……213.1光刻板缺陷設一計思路......................................................................……213.2光刻版測試圖形的設計.....................

8、.............................................……223.2.1基礎圖形的選取與截取..............................................................……223.2.2缺陷類型的設計..........................................................................……23

9、3.2.3缺陷步長設計..............................................................................……253.2.4輔助圖形的設計..........................................................................……263.2.5步進圖形布局..........................

10、..............................……，...............……273.2.6芯片整體布少動........................................................................……，..…27摘要摘要隨著浸沒式步進掃描光刻機臺ASML1900Gi的引入，國內(nèi)晶圓制造將逐步進入45，32納米時代。對45納米及更高端的技術(shù)節(jié)點而言，浸入式光刻技術(shù)

11、已成為一項能將設計圖縮小的主要技術(shù)。由于關鍵尺寸的不斷縮小，很多先進的分辨率增強技術(shù)，如光學臨近修正(OPC)、相位移掩膜版(PSM)、及偏振效應在浸沒式光刻工藝中得到了廣泛的應用。光刻技術(shù)通過應用光學臨近修正和更嚴謹?shù)闹瞥虡藴蕘斫档鸵驗殚g距縮小和復雜圖形設計帶來的影響。在芯片特征圖形尺寸已縮小到不到曝光波長的三分之一，先進光刻板己越來越變成更像是一個重要的光學部件。而隨著關鍵尺寸(CD)的不斷縮小，本來在90或65納米光刻板上沒有影響

12、的缺陷，在45納米光刻板上可能形成致命的缺陷。這些缺陷同時會成像在相應的硅片上，對于產(chǎn)品良率造成致命的影響，所以在目前在45納米的產(chǎn)品上，缺陷檢驗和模擬都面臨嚴峻的挑戰(zhàn)。本文主要通過將生產(chǎn)中的關鍵層次(AA，GT，MET，CH，VIA)在光刻版上不同的圖形區(qū)設計不同類型漸進變化的缺陷，形成線性的缺陷曝光圖形然后直接到硅片上曝光，通過測量硅片上線寬的變化，來研究在45納米產(chǎn)品中各種缺陷對硅片線寬的影響。同時將匹配相應的光刻板檢驗機臺的參數(shù)