水輔助激光刻劃硅片的優(yōu)化工藝研究.pdf

1、集成電路制造的關(guān)鍵一步就是將晶圓劃切成單獨的芯片，通常是采用金剛石砂輪進行切割，但這種方法存在刀具磨損、切縫崩邊和材料利用率低等缺點。而且，隨著3D封裝工藝的成熟及晶圓厚度的降低和直徑的增加，使得晶圓對機械外力變得更加的敏感，急需一種新的加工工藝方法。激光加工技術(shù)是一種先進的非接觸式加工方法，然而，高能量的激光束作用于材料表面會產(chǎn)生一定的熔渣和重鑄層以及難以避免的殘余熱應(yīng)力和微裂紋。為了解決這些問題，水輔助激光加工的方法已經(jīng)受到很多學(xué)者

2、的關(guān)注，但還處于起步的階段，需要進一步的研究。本文主要從水輔助激光刻蝕硅片的宏觀形貌著手，實驗探究了在不同工藝參數(shù)下水輔助激光刻蝕硅片的形貌，分析產(chǎn)生的原因和機理，旨在探究通過簡易的設(shè)備在合適的工藝參數(shù)下實現(xiàn)較好的激光刻蝕效果。本文的研究成果如下：
　　第一，搭建了簡易水輔助刻蝕硅片裝置，研究了傳統(tǒng)激光和水射流輔助激光打孔形成錐度角差異，分析等離子體效應(yīng)以及在水層約束作用下產(chǎn)生的對材料反向沖蝕力的作用；探究三種水輔助激光刻蝕硅片在

3、統(tǒng)一工藝參數(shù)下對刻蝕深度、刻蝕寬度和產(chǎn)生的熱影響區(qū)的影響，以及對比分析每一種刻蝕方式對刻槽形貌產(chǎn)生的原因。結(jié)果分析發(fā)現(xiàn)爆發(fā)沸騰引起空化泡產(chǎn)生高壓射流對材料產(chǎn)生沖蝕作用，而且還發(fā)現(xiàn)水射流的沖蝕力對熔融材料和熔渣的去除起到很大的作用。
　　第二，基于正交試驗的原理及特點，本文對水射流激光刻蝕硅片的工藝參數(shù)設(shè)計正交試驗，利用綜合平衡法，對試驗中的指標進行極差分析，選取優(yōu)組合，分析判斷各因素對各個指標的影響，建立最優(yōu)方案表，分析確定最優(yōu)的