浸潤(rùn)式光刻機(jī)工藝缺陷數(shù)量的優(yōu)化.pdf

1、半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，光刻工藝永遠(yuǎn)是核心工藝之一。在摩爾定律的預(yù)言下，芯片上器件的尺寸越來(lái)越小，我們用來(lái)定義器件尺寸的光刻機(jī)，也隨著不斷的技術(shù)革新而一代代的優(yōu)化演變。如今，光刻工藝已經(jīng)步入了浸潤(rùn)工藝的時(shí)代，也就是利用鏡頭與晶圓之間的一層水來(lái)替代傳統(tǒng)的空氣，利用水的更大折射率成就了65nm以下工藝的發(fā)展。
　　浸潤(rùn)工藝的到來(lái)，也催生了新一代的缺陷類(lèi)型，有別于過(guò)去的“干式”光刻，浸潤(rùn)式光刻工藝會(huì)產(chǎn)生典型的氣泡缺陷，水漬殘留缺陷，微型

2、橋接缺陷等。本文中，本文針對(duì)以上幾類(lèi)缺陷一一做了成因分析，氣泡缺陷主要是由于機(jī)械部件運(yùn)動(dòng)以及所用的化學(xué)品的成分而產(chǎn)生；水漬殘留缺陷則是由于浸潤(rùn)部件的工作缺陷，以及之后未及時(shí)沖洗晶圓表面從而使得晶圓上涂布的化學(xué)品與水發(fā)生了反應(yīng)，降低了光阻的敏感性，最終使得圖形發(fā)生變形，構(gòu)成缺陷；微型橋接缺陷是由于光阻沒(méi)有被充分曝光，導(dǎo)致圖形沒(méi)有被顯影開(kāi)，因?yàn)樗男蚊草^小，構(gòu)成此類(lèi)缺陷的成因比較多樣，如微小氣泡，不透光的顆粒物，或者光阻與防水層的互相反應(yīng)。

3、
　　本文的目的就是針對(duì)以上這些缺陷的主要成因，討論具有針對(duì)性的各種優(yōu)化手段。如選擇效果更佳的防水涂層，優(yōu)化曝光的掃描路徑，從顆粒物產(chǎn)生的原理上減少顆粒物的數(shù)量，控制晶圓曝光后沖洗的過(guò)程，根據(jù)浸潤(rùn)部件污染程度，結(jié)合設(shè)備實(shí)際運(yùn)行情況，優(yōu)化清潔保養(yǎng)設(shè)備浸潤(rùn)部件的時(shí)間規(guī)律。通過(guò)這一系列的優(yōu)化手段，本文在工藝上得到了本文想要的最優(yōu)化，即適用于各類(lèi)不同特性的光阻材料，產(chǎn)生最少缺陷的通用性?xún)?yōu)化方案。最后在這個(gè)通用性架構(gòu)基礎(chǔ)之上，針對(duì)每種光阻材