利用相移光刻掩膜版監(jiān)測光刻機臺焦距.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路產(chǎn)業(yè)一直向著集成度越來越高,關(guān)鍵尺寸越來越小的方向發(fā)展。將光刻部分的線寬做到更小的關(guān)鍵就是分辨率R值的降低,這會導致聚焦深度(DOF)減小,隨著DOF越來越小,就對現(xiàn)在的光刻工藝制程中焦距的穩(wěn)定性提出越來越高的要求,所以對光刻機臺焦距的監(jiān)測精度和穩(wěn)定度要求越來越高。本文實驗并闡述了一種新型的光刻機臺焦距的監(jiān)測方法。傳統(tǒng)的監(jiān)測方法是通過焦距矩陣的方式曝光后用線寬測量機臺進行測量找到最佳焦距。實驗結(jié)果表明,通過利用相移光掩膜(光掩膜

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