2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過固相反應(yīng)合成法、經(jīng)二次預(yù)燒結(jié)(1000℃、8h)合成了CCTO單相粉末,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)得到了較高致密度的CCTO陶瓷材料;研究了燒結(jié)工藝(燒結(jié)溫度、保溫時間)和CCTO中Cu含量、摻雜MgO或SiC對其結(jié)構(gòu)和介電性能的影響,結(jié)果表明: 燒結(jié)溫度的升高、保溫時間的延長均會提高試樣的致密度及晶粒大小,從而使其介電常數(shù)增大、介電損耗降低。燒結(jié)溫度為1100℃時, 1MHz下其介電常數(shù)及介電損耗分別為6030、0.317;保溫72

2、h的試樣, 1MHz下介電常數(shù)、介電損耗分別為11880、0.250。 CCTO中Cu含量的改變、SiC的摻雜均會得到晶界處有夾雜的晶相結(jié)構(gòu),影響晶界的絕緣性,從而降低試樣的介電損耗。Cu含量3.2的試樣1MHz頻率下為0.2974;SiC摻雜含量0.5wt%的試樣1MHz條件下介電損耗為0.2351。而由于MgO會以受主摻雜的方式滲進(jìn)晶格,因此對CCTO陶瓷的物相沒有明顯的影響,可獲得晶界清晰無夾雜的晶粒結(jié)構(gòu)。當(dāng)MgO摻雜含量

3、為5.0mol%El寸、1MHz條件下可將試樣的介電損耗由0.3463降至0.2869。 以致密度90.2%的CCTO陶瓷為靶材,采用脈沖激光沉積法(PLD)在Si(100)基片上沉積CCTO薄膜,通過改變薄膜的沉積溫度、沉積氧壓和激光能量密度等條件,利用X射線衍射方法(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)等結(jié)構(gòu)表征方法,獲得了一組優(yōu)化薄膜沉積的條件。隨著沉積溫度的升高,CCTO薄膜的取向逐漸表現(xiàn)出(220)方向的擇優(yōu)生長趨勢,晶

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