CIS太陽能電池緩沖層工藝研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩53頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著人類社會(huì)日新月異的發(fā)展,人們對(duì)能源的需求越來越大。由于能源危機(jī)的出現(xiàn),人們開始發(fā)現(xiàn)可再生能源的重要性。太陽能作為可再生能源的重要組成部分且具有純凈無污染的特性而越來越受人們的關(guān)注。在硅太陽能電池成本高居不下的時(shí)候,CIS 薄膜太陽能電池由于具有高轉(zhuǎn)換效率、低制造成本以及穩(wěn)定的性能從而得到了很大的發(fā)展。
   CdS作為CIS 薄膜太陽能電池的緩沖層對(duì)太陽能電池的整體性能有著相當(dāng)重要的作用。本文主要做了如下方面的研究工作:

2、r>   對(duì)CIS 薄膜太陽能電池緩沖層CdS的傳統(tǒng)制備工藝作了說明。對(duì)原料的配比,燒結(jié)等前端工藝進(jìn)行了大量實(shí)驗(yàn),分析了其對(duì)薄膜光敏性、耐壓性的影響。
   本文嘗試采用離子輔助鍍膜工藝(IAD)來制備CdS 緩沖層,使用正交實(shí)驗(yàn)法分析薄膜制備中的工藝參數(shù)(基片溫度、蒸發(fā)速率、離子束流密度和屏極電壓)對(duì)薄膜表面、電阻率和帶隙的影響,確定了最佳的離子輔助鍍膜(IAD)工藝參數(shù),分析了離子輔助鍍膜工藝(IAD)對(duì)緩沖層CdS的優(yōu)缺

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論