一種高壓LDMOS的特性分析與建模.pdf

1、本文以構建等效電路的方式完成了對一種700V外延型LDMOS器件的建模工作，這一模型可以被應用于電路模擬器的仿真。 首先，本文闡述了LDMOS的耐壓優(yōu)化設計方法，給出了一種700V外延型LDMOS的結構，借助二維數值模擬軟件MEDICI對LDMOS特性進行分析，詳細描述了不同柵壓下，其溝道與漂移區(qū)的電流分布情況。闡述了該高壓LDMOS的電流準飽和機理。在此基礎上，通過將LDMOS的結構劃分為3個區(qū)域，來獲得它的等效電路模型。文中

2、把溝道區(qū)域等效成增強型普通MOS管，并且首次提出了用兩個JFET管，模擬LDMOS漂移區(qū)的情況。使得模擬精度較之以往文獻報道有了較大提高。 其次，在對等效電路各部分元件參數的提取過程中，作者通過構造不同的MOS管結構，在MEDICI模擬器上測試出不同條件下器件的I-V特性，并用參數提取軟件AURORA提取了等效MOS管的BSIM3V3和LEVEL49直流模型參數。對一些無法直接提取的JEFT管及電容的參數，作者則通過對器件的結構