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文檔簡介
1、脈沖功率技術的發(fā)展對開關器件不斷提出新的要求。半導體功率器件由于其具有體積小、壽命長、工作穩(wěn)定、成本低、效率高、緊湊等突出的優(yōu)點，在脈沖功率技術領域占有了越來越重要的地位。反向開關晶體管RSD(Reversely SwitchedDynistor)在耐流、耐壓和耐di/dt 能力方面在半導體功率器件中表現優(yōu)良，可以承受高達數百kA的電流和數kV的電壓。
從半導體的基本理論出發(fā)，結合RSD的基本結構，得到了RSD的基本工作原
2、理方程。為了得到RSD預充階段等離子體的分布，采用計算機進行仿真，運用偏微分方程的數值解法，化微分為差分，采用MATLAB軟件，計算得到了RSD的N基區(qū)等離子體在預充階段各個不同時間點的分布。計算中使用的相關數據基于實際制備得到的器件，仿真得到的電流波形和實驗結果基本一致。
結合對預充階段的等離子層的分布計算及試驗測試到的開通異常波形圖，分析了J1結和J3結在正向開通中分別注入到N基區(qū)和P基區(qū)的等離子體對J2結附近聚集的等
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