ZAO靶材及薄膜的研究.pdf

1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文ZAO靶材及薄膜的研究姓名：柯文明申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：李晨輝20080703華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文II氧空位是靶材低電阻率的主要原因。粉末分布越窄，團聚體顆粒越細小，燒結(jié)時氣孔越少，也越小，晶粒也較為細小，所制備得到靶材的致密度越高，缺陷越少，電阻率越低。對比試驗表明通過直接沉淀法，蒸餾水洗滌并真空冷凍干燥得到的球形納米ZnO最適合用于制備高致密度、低電阻率ZAO靶材。通過直流磁控濺射法制備

2、了厚度均勻、電阻率為~104Ωcm數(shù)量級的具有一定C軸擇優(yōu)取向ZAO薄膜，有很強的(002)衍射峰和較弱的(101)衍射峰，且(002)衍射峰的衍射角向低角度方向移動。沉積的ZAO薄膜在紫外光區(qū)透過率基本低于20%，而可見光區(qū)平均透過率近90%，具有良好的光學(xué)性能。不同氧氬比對薄膜的光學(xué)性能沒有顯著影響，在可見光區(qū)平均透過率均超過85%，但是對薄膜的電學(xué)性能有重要影響，當(dāng)氧氬比為0.1%時，導(dǎo)電性最好，電阻率為5.3104Ωcm。關(guān)鍵詞