有序介孔氧化硅-AgI納米復(fù)合材料的制備及物性研究.pdf

1、本文大體可分為兩部分：一是研究了有序介孔二氧化硅的制備及紫外發(fā)光特性的研究；二是研究了SBA-15/AgI復(fù)合材料的制備、組成、形貌，對其發(fā)光特性及離子輸運(yùn)性能進(jìn)行了研究。 ·采用水熱法制備了有序介孔氧化硅材料SBA-15，對其結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了研究。光譜研究發(fā)現(xiàn)，采用中型表面活性劑及萃取工藝制備的SBA-15不存在NBOHC缺陷，對其機(jī)理進(jìn)行了研究。 ·我們采用熱擴(kuò)散法，將AgI附載到有序介孔SiO<,2>(SBA-15

2、)的孔道中，制備出了SBA-15/AgI復(fù)合材料。通過XRD，TEM，EDS，EPR等分析手段研究了復(fù)合體系的結(jié)構(gòu)、組成以及復(fù)合光學(xué)性質(zhì)。發(fā)現(xiàn)復(fù)合體系中，AgI的含量低于12％時(shí)，它是以團(tuán)簇的狀態(tài)高度分散在SBA-15的孔道壁上，當(dāng)高于這一值時(shí)，體系中出現(xiàn)納米晶AgI；此外，通過紫外一可見吸收光譜以及EPR，觀察到了AgI吸收的藍(lán)移以及Ag團(tuán)簇的存在。PL譜的研究發(fā)現(xiàn)了位于620nm處新的發(fā)光峰。我們對復(fù)合體系的發(fā)光機(jī)制進(jìn)行了解析。認(rèn)為

3、這一發(fā)光可能來自AgI表面Ag團(tuán)簇的激發(fā)態(tài)到AgI空穴陷阱態(tài)之間的復(fù)合發(fā)光． ·我們對SBA-15/AgI復(fù)合材料的離子電導(dǎo)率進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)室溫離子電導(dǎo)率較市購AgI有兩個(gè)數(shù)量級的提高，并發(fā)現(xiàn)了α→β的相變回線。我們對這一現(xiàn)象進(jìn)行了解釋。 ·在制備的有序介孔氧化硅SBA-15中，我們發(fā)現(xiàn)了位于3.8eV的PL的發(fā)光。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這一發(fā)光在空氣中放置會顯著增強(qiáng)。通過在不同溫度和氣氛下進(jìn)行退火試驗(yàn)，并結(jié)合EPR和紅外分析，我