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文檔簡介
1、基準(zhǔn)電路是模擬電路設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵的基本模塊,它包括基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電流源。它們的溫度穩(wěn)定性電源抑制比以及抗噪性能等會(huì)影響整個(gè)電路的精度和性能。采用CSMC0.5um CMOS工藝設(shè)計(jì)出應(yīng)用于“spm2200磁卡解碼芯片”中的高性能基準(zhǔn)電源是本文的重點(diǎn)研究方向。 本文首先介紹基準(zhǔn)源的發(fā)展歷史和現(xiàn)狀,闡述了帶隙基準(zhǔn)的基本原理,以及常見的基準(zhǔn)電壓源和基準(zhǔn)電流源的性能指標(biāo)和各項(xiàng)參數(shù)。接著以spm2200磁卡解碼芯片的實(shí)際電路需要為依據(jù)
2、,在以帶隙基準(zhǔn)原理產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓的基礎(chǔ)上,通過電阻分壓以及MOS管特定條件下的電阻特性,設(shè)計(jì)出vcc/2+1V,vcc/2+0.1V的基準(zhǔn)電壓。再通過帶隙基準(zhǔn)電路中產(chǎn)生的正溫度系數(shù)電流與MOS管基極-發(fā)射極產(chǎn)生的負(fù)溫度系數(shù)電流相互疊加,生成了電路需要的10uA,5uA的基準(zhǔn)電流。再以CSMC0.5um COMS工藝所給的模型參數(shù)進(jìn)行仿真,結(jié)果顯示它們都有著很高的電源抑制比和很好的溫度穩(wěn)定性,符合實(shí)際電路的需要。然后進(jìn)行了整個(gè)電路的版圖設(shè)
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