CMOS工藝集成電路抗輻射加固設計研究.pdf

1、輻射環(huán)境可以分為自然輻射環(huán)境和人為輻射環(huán)境。自然輻射環(huán)境主要指外太空的環(huán)境，人為輻射環(huán)境主要指核爆炸后的環(huán)境。隨著越來越多的集成電路需要在輻射環(huán)境中工作，比如：衛(wèi)星中的集成電路、武器系統(tǒng)中的集成電路，用戶需要對集成電路的抗輻射能力提出要求。所以，如何設計抗輻射的集成電路成為一個迫切需要解決的問題。 一般來說，對集成電路進行抗輻射加固的方法可以分為兩類：從工藝上進行加固和從設計上進行加固。因為目前主流的集成電路設計流程是設計公司負

2、責集成電路的設計（包括前端設計、后端設計），通用工藝線負責集成電路的生產(chǎn)。所以作為設計公司是無法通過改變工藝的方法來獲得輻射加固的集成電路，因此通過設計的方法來加固集成電路的抗輻射能力，是比較可行的方案。而且通過工藝線來加固，目前還有它自身的缺點，在論文中會有介紹。 本文在分析輻射對集成電路的各種效應、以及輻射效應的產(chǎn)生機制的基礎上，分析了各種在設計上可以使用的輻射加固技術，最后設計了一個輻射加固的單元庫。 本論文的主要

3、工作包括： 1．了解空間輻射環(huán)境。 2．理解輻射對集成電路產(chǎn)生的各種效應。 3．理解集成電路的輻射效應的產(chǎn)生機制。 4．設計一個抗輻射的單元庫。 在開展上述工作的同時，本文進行了積極的研究和探索，取得了一定的創(chuàng)新，可概括如下： 1．對單粒子瞬變的加固，不是從加固組合電路的角度來考慮。而是提出使用抗單粒子瞬變的觸發(fā)器來解決這個問題。這樣，我們可以只對集成電路中的時序器件和存儲器進行輻射加固，