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1、本文研究了基于BZN變?nèi)莨苷{(diào)諧的分布參數(shù)諧振器的VCO的技術(shù),為了提高BZN電容的調(diào)諧能力和保持較高的諧振器Q值,選擇了具有高Q的微帶內(nèi)部耦合的SIR并對(duì)其電調(diào)性能進(jìn)行分析,首次提出了一種新的電調(diào)結(jié)構(gòu),并對(duì)比了串聯(lián)電調(diào)結(jié)構(gòu)和并聯(lián)電調(diào)結(jié)構(gòu)對(duì)調(diào)諧率的影響,分別得到其實(shí)現(xiàn)寬帶調(diào)諧的條件。在此基礎(chǔ)上,完成了采用該電調(diào)諧振器的X波段VCO電路的設(shè)計(jì),對(duì)比了λ/2傳輸線諧振器與本文提出的并聯(lián)SIR皆振器的電路特性。在壓控調(diào)諧范圍內(nèi),本文提出的并聯(lián)電
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