超薄柵氧化層的TDDB特性與壽命評(píng)估.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、隨著超大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，超薄柵氧化層的質(zhì)量對(duì)器件和電路可靠性的作用越來越重要。經(jīng)時(shí)絕緣擊穿（TDDB）是評(píng)價(jià)薄柵氧化層質(zhì)量的重要方法。本文介紹了氧化硅結(jié)構(gòu)及其作為柵氧化層的擊穿機(jī)理和幾種主要TDDB擊穿模型，重點(diǎn)介紹了其中的1/E模型。論述了薄柵氧化層TDDB可靠性表征方法及其相關(guān)參數(shù)。采用恒定電壓法，對(duì)同一種工藝條件，溝道長(zhǎng)為90nm，柵氧化層厚度為1．4nm的NMOSFET施加五種電壓應(yīng)力，測(cè)試其相應(yīng)的擊穿時(shí)間。比較了相同器

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