退火條件對氧化釩薄膜光電特性影響的研究.pdf

1、VI琴譬琶署j，?！?|：四j衙，、天j學‘_，：‘。一，碩一謄I學’j傅二論，j文題目粵肇掣咚避卻選粵鱟函嘩衄。j一_‘‘夕：07一一疊一’作t：：者：趔主壘完成日期2壘鯉生二蒸且一2二且專業(yè)一一蕉藿盎塹塞，、J、’?！?。，研究。方詢。一蔓照鹽牡盞登籃一一‘：●，一授予擎位日期，二至鯉2生目目四川大學碩士學位論文出熱致相變特征。(41無論是在低真空下，還是在高真空下，經(jīng)過退火，薄膜中釩離子的價態(tài)降低，且隨退火溫度升高，會降得更低。(

2、51高真空環(huán)境對氧化釩薄膜的還原性不如低真空環(huán)境，但是在高真空下退火得到薄膜的結(jié)晶狀況比在低真空下退火的好，這一結(jié)果目前尚未見報道。(6)對于V02(B)型薄膜，在低真空下退火出現(xiàn)的范圍是400。C480℃，而在高真空下退火出現(xiàn)的范圍只有400℃~440℃。在退火溫度為400。C440℃的范圍內(nèi)，在高、低真空下退火，薄膜的室溫電阻和電阻溫度系數(shù)絕對值隨退火溫度升高而減?。坏堑驼婵障峦嘶鸨∧さ氖覝仉娮铚p小得更快。且當退火溫度相同時，低真