結(jié)合磁過濾陰極弧等離子體沉積技術(shù)制備高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜的研究.pdf

1、本論文主要由兩部分組成。 第一部分主要是試驗設(shè)備的建立，在這一部分中，首先介紹了等離子體的概念及其應(yīng)用，通過對實驗設(shè)備的改進，例如改變引弧針材料，加入宏觀離子擋板等，使其較之普通的等離子沉積設(shè)備有了一些突出的優(yōu)點，例如連續(xù)工作時間長，過濾效果好，引弧自動化，這些優(yōu)點都為接下來的實驗工作做好了充分的準備。 第二部分為實驗部分，在這一部分中，本文采用磁過濾陰極弧等離子沉積技術(shù)分別制備了類金剛石薄膜和氧化鋅薄膜，并觀察了改變實

2、驗條件對成膜質(zhì)量和薄膜性質(zhì)的影響。首先，利用磁過濾等離子體技術(shù)在室溫下制備出了高質(zhì)量的類金剛石薄膜，研究了襯底偏壓類型對薄膜的結(jié)構(gòu)、性能的影響：連續(xù)負偏壓下難以形成光滑連續(xù)的DLC薄膜；零偏壓下制備的薄膜比較光滑，但表面仍有一些小的柱狀晶存在；周期性負偏壓下制備的DLC薄膜表面最為平整致密，薄膜表面的粗糙度僅為0.1nm。連續(xù)負偏壓下制備的DLC膜的SP<'3>含量低于零偏壓和周期性負偏壓下制備的薄膜，相應(yīng)的硬度也較低，因此采用偏壓值較