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1、研究生學(xué)號(hào):號(hào):1042102034上海交通大學(xué)上海交通大學(xué)工程碩士學(xué)位論文193nm光阻對(duì)于絕緣體材料刻蝕工藝的挑戰(zhàn)ChallengesonOxideEtchwith193nmPhotesist2007年6月12日研究生研究生:王曄學(xué)院王曄學(xué)院:微電子學(xué)院:微電子學(xué)院指導(dǎo)教師指導(dǎo)教師:黃其煜:黃其煜ChallengesonOxideEtchwith193nmPhotesistAbstractWiththecontinuousdevel
2、opmentofVLSItechnology193nmphotesist(PR)hasbeenadoptedtomeetthescalingdownrequirementoffeaturesizes.HoweveritisdifficulttomaintainthecompletenessofPRstructuresduringoxideetchduetotheacteristicsof193nmPR.ObviousPRstriatio
3、nPRroughnessthepatternofPRdifficulttomaintainwascommonlyobserved.Thispaperanalysesthebaselineofthe193nm248nmPRfilmsthe193PRrougheningmechanismfindouttheionimpactplusradicalsactivatesPRstriation.Beseonthesefactsthispapaer
4、addresseswhichprocessfacts(totalpowerfrequenceratiogasratiototalflowprocesspressurechambertemperatureaddionalhydrogen)affectingthePRstriationpresentsourrecentwkonthestudyof193nmphotesistroughness(Profileimpact,sidewallro
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