Cu層厚度和制備條件對Fe-,40-Co-,60--Cu-Ni自旋閥在不同應力下巨磁電阻的影響.pdf

1、本實驗采用離子束濺射的方法,在氧化硅襯底上制備了結構為T8/Fe40Co50/Cu/Ni/Ta多層膜.研究了Cu層厚度對多層膜巨磁電阻的影響。實驗發(fā)現(xiàn),當Cu層厚度為2.6nm,制備態(tài)薄膜GMR值達到1.6％.測量了不同應力下的磁電阻值,發(fā)現(xiàn)通過調節(jié)Cu層的厚度可以提高Fe40Co60/Cu/Ni自旋閥磁電阻對應力的靈敏度。 在各層厚度不變的情況下,在制備自旋閥的過程中加平行于膜面的外磁場,所制備的自旋閥GMR值達到2.4％。測

2、量了不同應力下的磁電阻值,發(fā)現(xiàn)并解釋了加外磁場制備的自旋閥磁電阻隨應力變化的靈敏度有所升高的現(xiàn)象。 在制備Fe40Co60層和Ni層過程中先后加相互垂直的外磁場可以使制備態(tài)薄膜的GMR值增加到2.3％。測量了不同應力下的磁電阻值,發(fā)現(xiàn)加相互垂直的外磁場制備的自旋閥磁電阻隨應力變化的靈敏度比無外磁場情況下制備的自旋閥磁電阻隨應力變化的靈敏度要高。 用磁致伸縮系數(shù)較大的TbDyFe材料代替FeCo層制備的自旋閥,通過測量應力