氧化物半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)制備及其電子場(chǎng)發(fā)射特性研究.pdf

1、2006屆研究生博士學(xué)位論文y89659辱學(xué)校代碼：10269學(xué)號(hào)：YB03242004葶泉吁毿天擎氧化物半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)制備及其電子場(chǎng)發(fā)射特性研究院系：籃盅抖堂捷盔堂瞳魚王丕專業(yè)：玉線蟲塑理研究方向：坐昱佳撾料生墨住指導(dǎo)教師：基自強(qiáng)麴援博士研究生：韭丞勝2006年3月完成圖形化生長技術(shù)的應(yīng)用之一，為寬禁帶半導(dǎo)體氧化物圖形化生長技術(shù)的應(yīng)用提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。3首次對(duì)硅襯底上生長Sn02納米結(jié)構(gòu)圖形化陣列進(jìn)行研究，借助催化劑的輔助，成功制備了葵

2、花形等結(jié)構(gòu)陣列，單元結(jié)構(gòu)完整，排列一致。直徑約為50um。場(chǎng)發(fā)射研究表明，開啟電場(chǎng)和閾值電場(chǎng)分別達(dá)到了26V／urrt、64V／um。4首次對(duì)玻璃襯底上生長圖形化ZnO納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究，通過使用催化劑，成功制備了單元面積約為400x100um2的圖形化陣列，單元排列規(guī)則，分布均勻一致，場(chǎng)發(fā)射性能良好，為實(shí)現(xiàn)場(chǎng)發(fā)射平板顯示器的全玻璃封裝提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。5通過襯底結(jié)構(gòu)圖形化，在納米硅襯底上制備了ZnO納米結(jié)構(gòu)陣列，方形單元面積約為10010

3、01t1512，間距約為30pm。納米線光滑，平均長度lOurrl以上，直徑約為200nto。分析了其生長機(jī)理。6研究了不同形貌納米ZnO和碳納米管在濕度傳感器中的應(yīng)用，分析比較了它們所表現(xiàn)出的不同性質(zhì)。通過對(duì)碳納米管進(jìn)行后處理，使傳感器在敏感性、響應(yīng)時(shí)間、穩(wěn)定性等方面的性質(zhì)都得到了提高。對(duì)濕度傳感器的傳感機(jī)理作了分析和討論。7研究了納米ZnO和碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備以及它們的場(chǎng)發(fā)射特性，結(jié)果表明，這種復(fù)合結(jié)構(gòu)可以改善絲網(wǎng)印刷碳納米管膜