2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、復(fù)旦大學(xué)博士后學(xué)位論文原子層淀積高介電常數(shù)柵介質(zhì)HfO反應(yīng)機(jī)理的密度泛函理論研究姓名:任杰申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:博士后專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:張衛(wèi)20060601Ge(100)21表面距離的增加,導(dǎo)致表面的差異對(duì)H20的吸附?jīng)]有明顯的影響。另外,我們也考察了ALD過(guò)程的反應(yīng)溫度對(duì)氧化物薄膜生長(zhǎng)的影響,結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨著溫度的增加,將導(dǎo)致化學(xué)吸附態(tài)的不穩(wěn)定,直接導(dǎo)致吸附化合物的解吸附。對(duì)于HfCI。在A1203表面的反應(yīng),因?yàn)榛罨苊黠@高

2、于反應(yīng)物的總能量,所以溫度增加容易使HfCI。吸附化合物向反應(yīng)物方向解吸附,不利于反應(yīng)向產(chǎn)物方向進(jìn)行;而對(duì)于AI(CH3)3在Hf02表面的反應(yīng),正好相反,增加反應(yīng)溫度有利于反應(yīng)向產(chǎn)物方向進(jìn)行。最后值得一提的是,本報(bào)告對(duì)于HfCl4在A1203、AI(CH3)3在Hf02,HfCl4和H20在單羥基化Si(100)21表面反應(yīng),都使用比較小的簇模型進(jìn)行了內(nèi)稟反應(yīng)坐標(biāo)(IRC)研究,進(jìn)一步確認(rèn)了計(jì)算得到的過(guò)渡態(tài)是正確連接反應(yīng)物與產(chǎn)物的反應(yīng)

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