CMOS射頻集成電路的低噪放模塊的設(shè)計(jì).pdf

1、多種無線通訊系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展，使無線通訊系統(tǒng)中的關(guān)鍵模塊—射頻集成電路，成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。由于市場(chǎng)對(duì)重量輕、體積小、功率低、成本低的收發(fā)器的需求的迅速增加，提高收發(fā)器的集成度成為解決上述需求的重要途徑。而傳統(tǒng)的工藝如砷化鎵(GaAs)工藝等不能集成低壓大規(guī)模數(shù)字IC和D/A轉(zhuǎn)換器，已經(jīng)不能滿足集成芯片(SOC)的要求。盡管基于鍺硅工藝的硅異質(zhì)結(jié)器件可以用于射頻電路設(shè)計(jì)，但隨著特征尺寸的減小，電源電壓的降低，器件的線性度退化會(huì)比較嚴(yán)重。而

2、CMOS由于工藝的飛速發(fā)展，從而在射頻IC的應(yīng)用成為可能，并且可以與數(shù)字IC集成，再加上它的低成本和低功耗的優(yōu)勢(shì)，已成為射頻集成電路的研究熱點(diǎn)方向。本文主要研究應(yīng)用于2.4GHz Bluetooth射頻前端的基于CMOS工藝的低噪聲放大器模塊的實(shí)現(xiàn)方法。 本文對(duì)MOS管的射頻特性、噪聲特性以及電路中的無源器件的特性進(jìn)行了分析，系統(tǒng)研究了提高無源器件性能的方法，提出了增加片上電感品質(zhì)因數(shù)O值的技術(shù)途徑；接著對(duì)RFIC的幾種常用的接

3、受機(jī)架構(gòu)的性能指標(biāo)進(jìn)行了比較，并根據(jù)SOC的特點(diǎn)，選擇了適合的架構(gòu)來進(jìn)行電路設(shè)計(jì)；最后分析了目前較為流行的幾種LNA實(shí)現(xiàn)方式，比較了它們?cè)谠鲆?、噪聲、線性度、輸入阻抗和功耗等方面的性能，提出了一個(gè)單端形式的L-degenerated級(jí)聯(lián)LNA結(jié)構(gòu)，并采用ADS軟件對(duì)LNA進(jìn)行了優(yōu)化。最后采用了Cadence中的Vitrtuoso工具完成了對(duì)電路版圖的布局和優(yōu)化。 從理論上分析了影響LNA的線性度和噪聲的因素，由此提出了一種可以較