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1、西安電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文熱激勵(lì)諧振式碳化硅微結(jié)構(gòu)高溫壓力傳感器研究姓名:于建旺申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:李躍進(jìn)20060101ABSTRACTAbstractAsthemostpotentialwidebandgapsemiconductormaterials,siliconcarbideisallexcellentmaterialwithsuperiorthermal,electrical,mechan
2、icalandchemicalpropertiesforfabricationofhJ曲temperatureMEMSdevicesInthispaper,anovelthermallyexcitedsiliconcarbidemicromechanicalresonantpressuresensorwhichcanworkat500℃hasbeendesignedAnalysisthematerialcharacteristicofs
3、iliconcarbideThestructureandclassificationofthesiliconcarbidecrystalisspecifiedAmongthesecrystals,6HSiChasthebettercharacteristictofabricatethesensorMathematicmodelofthesensingstructureisestablishedbyelasticmechanicsanal
4、ysis,duringwhichsmall—displacementtheoryandlarge—displacementtheoryalebothusedMoreoveraccordingtoatypicalmicrosensorsensingstructure,afiniteelementanalysismodelofitssensingunitisestablishedwiththehelpFEAsoftwareofANSYSAc
5、cordingtothetypicalmicrosensorsensingstructure,theanal”icsimulationandthefiniteelementanalysisofrectanglediaphragmandbeamisprovided,andthedisplacement,strainandstressofdiaphragmandthefiequencycharacterofbeamarecalculated
6、TheworkingcharacterofthesensorwhendiaphragmhassmalldisplacementisalsodiscussedThecharacterofstructuresizeisalsoanalyzedprimarilyinthischapterAnalysistemperaturefielddistnbutingandinitialthermalstresscausedbysuddenincreas
7、eordeceaseofenvironmenttemperatureThermaleffectofenvironmenttemperaturetotheworkingcharacterofthissensingstructureisdiscussedbythethermodynamicsanalysisandfiniteclementanalysisFinally,analysistheinfluencetomeasurementsen
8、sitivitywhentheparametersofsensingstructurechangesGivemultiparametersoptimizingresultsofthesensingstructureanddiscusstheguidelineofparameterchoicesconcerningofmachiningcondition,permittedstructurevolumeandetcKeywords:sil
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