BGA封裝結(jié)構(gòu)的熱失效分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著電子工業(yè)的發(fā)展,電子封裝業(yè)得到了迅猛發(fā)展。近幾年,電子封裝業(yè)的重要性越來越突出,電子封裝已從早期為芯片提供機械支撐、保護和電熱連接的功能,逐漸融入到芯片制造技術(shù)和系統(tǒng)集成技術(shù)之中。因此,研究電子封裝結(jié)構(gòu)的熱失效問題顯得尤為重要。本文從BGA封裝結(jié)構(gòu)出發(fā),對電子封裝結(jié)構(gòu)的熱失效問題利用Abaqus進行了有限元模擬,并且對熱循環(huán)、熱沖擊等情況進行了實驗?zāi)M,對電子封裝熱失效問題進行了驗證。
  在二維模型中,建立了部分和完全兩種焊

2、點陣列形式,采用局部溫度加載方式針對模型中焊球?qū)雨P(guān)鍵位置的焊球進行了數(shù)值模擬分析,焊點的熱應(yīng)力,熱應(yīng)變的分析結(jié)果表明,距離芯片周界最新的焊球最先失效,隨后芯片中心的焊球隨即失效,與有關(guān)文獻中結(jié)論相一致。
  隨后,三維模型建立時考慮基于芯片散熱功率的熱循環(huán)加載,熱循環(huán)等不同的加載方式進行了數(shù)值模擬分析。對加入熱載荷和冷卻時的應(yīng)力應(yīng)變進行了模擬及分析,根據(jù)模擬結(jié)果可以得出與二維模型中一致的結(jié)果,隨即對于加入熱載荷時不同時間點下焊球的

3、蠕變和應(yīng)變進行了模擬及分析,同時對比了焊球上的蠕變耗散能量隨著熱循環(huán)的累積過程和典型蠕變圖,發(fā)現(xiàn)模擬作出的蠕變累積過程圖符合典型蠕變圖,隨后基于應(yīng)變能密度估測了關(guān)鍵焊球的熱疲勞壽命。根據(jù)Coffin-Manson模型方程,最終得到熱疲勞失效循環(huán)周期。
  之后進行了BGA封裝熱循環(huán)實驗,將BGA封裝芯片放入HL4500U高低溫試驗箱,控制溫度在一定的范圍內(nèi),經(jīng)過一定周期的循環(huán)試驗后,觀察試件,最終得到實際的熱疲勞失效循環(huán)周期,與前

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