

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文檔簡介
1、軟磁材料具有高的飽和磁化強度、高磁導(dǎo)率、低損耗等優(yōu)良特性,在工業(yè)和日常生活中廣泛應(yīng)用于計算機磁芯、磁頭、變壓器、互感器等電子元器件。近年來,隨著電子信息產(chǎn)品的不斷發(fā)展以及磁性元件需求的日益增長,軟磁材料逐漸向高頻化、小型化、集成化、薄型化方向發(fā)展,磁性材料不但要滿足高頻率,還得具有低損耗、耐久性、可靠性、低成本和抗電磁干擾等特點,因此軟磁薄膜在高頻的應(yīng)用方面的研究尤為重要。在這些應(yīng)用中,通常均希望材料有高的飽和磁化強度4πMs、高的磁導(dǎo)
2、率μ和低的矯頑力Hc。在軟磁材料中,F(xiàn)e基軟磁材料的4πMs相對較大,滿足了軟磁薄膜在高頻應(yīng)用的條件之一。其中,F(xiàn)eCo合金具有高的飽和磁化強度和居里溫度,F(xiàn)eNi合金的軟磁性優(yōu)異、磁導(dǎo)率高、矯頑力低,F(xiàn)eGa合金的延展性和抗壓性以及磁致伸縮較好。這些軟磁薄膜在磁存儲設(shè)備、磁感應(yīng)和微波應(yīng)用方面有很重要的現(xiàn)實意義和潛在價值,因此,研究這些薄膜的各向異性以及高頻磁性就變得十分重要和具有意義。
本論文中薄膜主要使用電化學(xué)沉積和磁控濺
3、射的制備方法,根據(jù)不同薄膜的特性,分別對FeCo薄膜、FeNi薄膜和FeGa薄膜的各向異性及其高頻磁性進(jìn)行了研究。本論文的主要結(jié)果如下:
研究了以Fe、Co、Ni及其合金為主的Fe基軟磁薄膜中,電沉積過程中磁場誘導(dǎo)薄膜各向異性的情況,并研究了誘導(dǎo)磁場的強度和方向?qū)eCo薄膜各向異性的影響;在非常小的誘導(dǎo)磁場下FeCo薄膜并不能誘導(dǎo)出很好的面內(nèi)單軸各向異性,改變誘導(dǎo)磁場的方向由面內(nèi)轉(zhuǎn)向面外,薄膜也可誘導(dǎo)出面內(nèi)單軸各向異性。另外
4、,磁場不能對厚度較小的FeCo薄膜誘導(dǎo)出很好的面內(nèi)單軸各向異性;通過電沉積制備的FeCo合金與氧化石墨烯RGO復(fù)合的薄膜,提高了薄膜的高頻性能。
利用VSM、ESR和VNA-FMR三種方法測量薄膜4?Ms和Hk結(jié)果表明:通過VSM得到的4?Ms和Hk的值比從ESR和VNA-FMR得到的誤差大;對于較薄的薄膜,從ESR得到的4?Ms的值比VNA-FMR的準(zhǔn);對于較厚的薄膜從這兩種方法得到的4?Ms的值都準(zhǔn)確。另外,薄膜的面內(nèi)各向
5、異性對ESR和VNA-FMR方法所得的4?Ms的值影響不大,對Hk值的影響比較大。
對不同厚度FeNi薄膜的面外鐵磁共振譜說明,隨著測量角度向面外轉(zhuǎn)動,共振場逐漸增大,并且出現(xiàn)表面模式和體模式。當(dāng)FeNi薄膜出現(xiàn)條紋疇時,共振場便會隨著膜厚的進(jìn)一步增加而減小。FeNi薄膜出現(xiàn)條紋疇的臨界厚度大約為90nm,而且條紋疇薄膜的垂直各向異性常數(shù)、品質(zhì)因子、疇寬和總轉(zhuǎn)動各向異性隨著薄膜厚度的增加而增大,但是薄膜在面內(nèi)的動態(tài)各向異性隨著
6、厚度的增加而減小。通過對條紋疇的微磁學(xué)模擬的結(jié)果也反應(yīng)了薄膜從無條紋疇到有條紋疇磁矩和磁疇的分布變得復(fù)雜,隨磁場的翻轉(zhuǎn)需要的能量變大,飽和場也逐漸變大。另一方面,發(fā)現(xiàn)具有條紋疇FeNi的薄膜,不僅在靜態(tài)中會有磁滯現(xiàn)象,其動態(tài)磁化也會表現(xiàn)很明顯的磁滯,這種磁滯與條紋疇在該磁場下對應(yīng)的有效磁化強度的多少有關(guān)。另外,在比較厚的不同成分FeNi薄膜中,純Fe和純Ni薄膜中不容易出現(xiàn)條紋疇結(jié)構(gòu),而FeNi合金的薄膜則均有條紋疇結(jié)構(gòu)。
電
7、沉積獲得Fe80Ga20磁致伸縮薄膜溶液的組成為FeSO4·7H2O(0.04mol/L)、Ga2(SO4)3·16H2O(0.05mol/L)、硼酸(30g/L)、抗壞血酸(5g/L)、檸檬酸鈉(25g/L),溶液的pH值用NaOH調(diào)至4.8,沉積電位為-1.3V。對其磁性的表征顯示具有很好面內(nèi)各向異性能的電沉積FeGa薄膜、斜濺射FeGa薄膜和斜濺射FeGaN薄膜由于其阻尼太大,薄膜均沒有很好的高頻磁性。最后通過B元素?fù)诫s的FeGa
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