版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、碩士學(xué)位論文二維材料負(fù)載的過渡金屬亞納米結(jié)構(gòu)的第一性原理研究AFirstprinciplesInvestigationonSubnanometerSizedTransitionMetalStructuresSupportedonTwoDimensionalMaterials學(xué)號:212Q22三墨大連理工大學(xué)DalianUniversityofTechnology大連理工大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要近些年來,隨著納米材料與納米科技的發(fā)展,新型納米
2、材料的可控制備和應(yīng)用成為當(dāng)今世界最熱門的研究領(lǐng)域之一。過渡金屬納米顆粒的一個最主要的應(yīng)用就是用作化學(xué)反應(yīng)的催化劑。過渡金屬的催化活性由其d帶位置決定,因此顆粒表面的配位不飽和原子是反應(yīng)活性中心,而實驗中觀測到的尺寸效應(yīng)主要是由顆粒大小不同而暴露的反應(yīng)中心數(shù)量變化導(dǎo)致。減小納米顆粒的大小,形成高分散、高活性、高選擇性的過渡金屬亞納米結(jié)構(gòu)是目前納米催化研究的前沿。但是粒徑的減小也伴隨著表面能增大,穩(wěn)定性下降。把納米顆粒負(fù)載在載體材料上,通過
3、兩者之間的相互作用,不儀能提高納米顆粒的穩(wěn)定性,而且納米顆粒與載體之間還能產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng),進一步提高催化劑的催化性能。二維層狀材料六方氮化硼和二硫化鉬由于具有大的比表面積可用作過渡金屬亞納米結(jié)構(gòu)的載體。本文通過第一性原理方法,重點研究了單個過渡金屬原子(Cu、Pt)摻雜的六方氮化硼催化CO氧化反應(yīng)的性能以及負(fù)載在單層二硫化鉬上Pt勻Jj米結(jié)構(gòu)的生長規(guī)律,主要內(nèi)容如下:首先,我們利用第一性原理方法研究了Cu摻雜的單層六方氮化硼的電子結(jié)構(gòu)以及
4、CO氧化反應(yīng)機理。發(fā)現(xiàn)負(fù)載的Cu原子更傾向于直接與六方氮化硼上的B空位缺陷作用,這些缺陷位點可以捕獲Cu原子阻止其進一步團聚。Cu原子與B空位缺陷的強相互作用使得Cud軌道向費米能級移動,能更好的活化反應(yīng)物種,促進反應(yīng)的進行。Cu摻雜的單層六方氮化硼對CO的催化氧化按照Langmuir—Hinshelwood機理進行:首先CO和02共吸附形成類似過氧化物的中間體,再進一步解離生成C02分子和吸附的0原子;另一分子的CO與吸附的0原子反應(yīng)
5、生成物理吸附的C02,C02脫附實現(xiàn)活性中心的再生,完成一個催化循環(huán)。反應(yīng)過程中過氧化物中間體的形成和解離以及催化劑再生的能壘分別為026eV,011eV,003eV,說明Cu摻雜的六方氮化硼是性能優(yōu)秀的CO低溫氧化催化劑。其次,我們還研究了Pt摻雜的單層六方氮化硼的電子結(jié)構(gòu)以及CO氧化反應(yīng)機理。與Cu摻雜體系不同,引入Pt原子取代六方氮化硼的一個B原子后體系中有1個未配對電子,對催化性能有一定的促進作用。在Pt摻雜體系中,CO和02共
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 新型二維單層材料的第一性原理研究.pdf
- 二維過渡金屬硫化物及其異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)調(diào)控的第一性原理研究.pdf
- 二維金屬有機框架材料電子結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 碳-氮基二維非金屬材料的第一性原理研究.pdf
- 42323.二維碳基及相關(guān)納米結(jié)構(gòu)的第一性原理研究
- 二維半導(dǎo)體材料的第一性原理模擬.pdf
- 二維碳化硅結(jié)構(gòu)第一性原理研究.pdf
- 幾種典型二維體系納米摩擦的第一性原理研究.pdf
- 幾類二維材料電子結(jié)構(gòu)及輸運特性的第一性原理研究.pdf
- 一維和二維納米材料熱力學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 二維BC2N材料的第一性原理研究.pdf
- 二維材料層堆疊異質(zhì)結(jié)的第一性原理研究.pdf
- 分子納米鏈和二維材料的電子結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 二維半導(dǎo)體納米材料磁性摻雜與自旋調(diào)控的第一性原理研究.pdf
- 納米結(jié)構(gòu)材料的第一性原理計算研究.pdf
- 二維有機納米硅片幾何和電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)的第一性原理研究.pdf
- 一些二維材料的第一性原理計算與設(shè)計.pdf
- 二維半導(dǎo)體材料遷移率的第一性原理研究.pdf
- 新興二維納米電子器件的第一性原理設(shè)計.pdf
- 新型二維材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計及性能調(diào)控的第一性原理研究.pdf
評論
0/150
提交評論