21598.有限厚勢壘對ganalxga1xn球形量子點線性和非線性光吸收系數(shù)的影響

1、學校代碼：10126分類號：——論文題目學號：312壘魚Q25編號：——有限厚勢壘對GaN／AlxGalxN球形量子點線性和非線性光吸收系數(shù)的影響學院：專業(yè)：研究方向：姓名：指導教師：物理科學與技術(shù)學院物理學凝聚態(tài)物理高文玲閆祖威2015年6月3日內(nèi)蒙古大學頂二二學位論文有限厚勢壘對GaN／A1工Gal一烈球形量子點線性和非線性光吸收系數(shù)的影響摘要隨著半導體生長技術(shù)日益發(fā)展，半導體量子點一直是凝聚態(tài)物理研究的熱點，尤其是光吸收的物理特性

2、，即光電性質(zhì)、輸運特性有著新穎的廣泛應用。本文在有效質(zhì)量近似下，利用變分原理研究了有限厚勢壘GaN／AIxGalxN球形量子點雜質(zhì)態(tài)電子從lS態(tài)躍遷到2Po態(tài)一階線性和三階非線性光學吸收系數(shù)及壓力效應。數(shù)值計算了線性和非線性光吸收系數(shù)隨量子點尺寸、有限厚勢壘、組分的變化，討論了流體靜壓力對線性和非線性光吸收的影響。結(jié)果表明隨著壘厚的減小三階吸收系數(shù)減小，一階吸收系數(shù)增加，總的吸收系數(shù)增加，而且吸收峰出現(xiàn)藍移。隨著量子點尺寸的減小和組分的