22474.多通道sttmram存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)以及電流驅(qū)動(dòng)磁疇壁移動(dòng)的微磁模擬研究

1、分類(lèi)號(hào)學(xué)號(hào)M201271973學(xué)校代碼10487密級(jí)碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文多通道多通道STTMRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)以及電流驅(qū)動(dòng)磁疇壁移動(dòng)的微磁模擬研究存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)以及電流驅(qū)動(dòng)磁疇壁移動(dòng)的微磁模擬研究學(xué)位申請(qǐng)人：學(xué)位申請(qǐng)人：劉蘇皓學(xué)科專(zhuān)業(yè)：學(xué)科專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：指導(dǎo)教師：程曉敏教授答辯日期：答辯日期：2015年5月18日獨(dú)創(chuàng)性聲明獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所

2、知，除文中已經(jīng)標(biāo)明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果。對(duì)本文的研究做出貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。學(xué)位論文作者簽名：日期：年月日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技大學(xué)可以將本學(xué)位