36608.cuin0.75ga0.25(se1y,sy)2薄膜電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性的實(shí)驗(yàn)和理論研究

1、分類(lèi)號(hào)：——UDC：——學(xué)校代碼：10126密級(jí)：——編號(hào)：——論文題目Culno75Gao25(SelySy)2薄膜電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性的實(shí)驗(yàn)和理論研究學(xué)院：塑翌型堂皇整苤堂院學(xué)號(hào)：蘭量壘趔塹研究生：崔童遺指導(dǎo)老師：工迭掛數(shù)援專(zhuān)業(yè)：塹墼電王堂研究方向：蟲(chóng)王墮腿撾魁皇態(tài)田能血迪2013年4月20日內(nèi)蒙古大學(xué)碩士學(xué)位論文Culno7sGao2s(Sely，Sy)2薄膜電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性的實(shí)驗(yàn)和理論研究摘要利用基于密度泛函理論平面波超軟贗勢(shì)方

2、法和廣義梯度近似，計(jì)算了S／(SeS)分子計(jì)量比分別為25％，50％n75％的Culno75Gao25(8el噦，Sy)2(CIGSS)薄膜的能帶結(jié)構(gòu)、光學(xué)特性和電學(xué)特性。結(jié)果表明，CIGSS為直接禁帶半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。利用PLD方法制備上述三種CIGSS薄膜，采用能譜儀(EDS)檢測(cè)薄膜成分，采用掃描電鏡(SEM)分析了薄膜的表面形貌，采用霍爾效應(yīng)測(cè)試儀測(cè)試了薄膜的電學(xué)特性，采用分光光度計(jì)分析了薄膜的光學(xué)特性，采用x射線衍射儀表征了薄膜的晶

3、體結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明，利用上述方法可以制備出結(jié)晶度良好的P型CIGSS薄膜。當(dāng)S／(SeS)=75％時(shí)，實(shí)驗(yàn)制備的CIGSS薄膜的電學(xué)特性表現(xiàn)最好，載流子濃度為4744x1017cm一，電阻率為3236E2cm，遷移率為132cm2V。1S～，霍爾系數(shù)為4187102cm3C～。上述三種CIGSS薄膜的XRD圖譜、光吸收系數(shù)、能帶變化趨勢(shì)和電阻率變化趨勢(shì)在理論和實(shí)驗(yàn)方面有很好的吻合。隨著S含量的增加，CIGSS薄膜的禁帶寬度增大而光吸收系數(shù)