2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)童詩白、華成英主編,主講人:葉雙智能與信息工程學(xué)院 電子技術(shù)教研室,第一章 常用半導(dǎo)體器件,§1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識,§1.2 半導(dǎo)體二極管,§1.3 晶體三極管,§1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識,一、本征半導(dǎo)體,二、雜質(zhì)半導(dǎo)體,三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?四、PN結(jié)的電容效應(yīng),一、本征半導(dǎo)體,導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。,1、什么是半導(dǎo)體?

2、特性,什么是本征半導(dǎo)體?,導(dǎo)體--鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素,其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動,形成電流。,絕緣體--惰性氣體、橡膠、塑料等,其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng),只有在外電場強(qiáng)到一定程度時才可能導(dǎo)電。,半導(dǎo)體--硅(Si)、鍺(Ge),均為四價元素,它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。,半導(dǎo)體的特性:,1、摻雜特性,2、熱敏特性,3、光敏特性,本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。

3、,2、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu),由于熱運(yùn)動,具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子,自由電子的產(chǎn)生使共價鍵中留有一個空位置,稱為空穴,自由電子與空穴相碰同時消失,稱為復(fù)合。,共價鍵,一定溫度下,自由電子與空穴對的濃度一定;溫度升高,熱運(yùn)動加劇,掙脫共價鍵的電子增多,自由電子與空穴對的濃度加大。,外加電場時,帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電,且運(yùn)動方向相反。由于載流子數(shù)目很少,故導(dǎo)電性很差。,本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性很差,3、本征半導(dǎo)

4、體中的兩種載流子,運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。,溫度升高,熱運(yùn)動加劇,載流子濃度增大,導(dǎo)電性增強(qiáng)。 熱力學(xué)溫度0K時不導(dǎo)電。,半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是不一樣的,二、雜質(zhì)半導(dǎo)體 1. N型半導(dǎo)體,,磷(P),雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多,多子濃度越高,導(dǎo)電性越強(qiáng),實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控。,多數(shù)載流子,2. P型半導(dǎo)體,,硼(B),多數(shù)載流子,P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電,摻入雜質(zhì)越多,空穴濃度越高,導(dǎo)電性越強(qiáng),,在雜質(zhì)半導(dǎo)

5、體中,溫度變化時,載流子的數(shù)目變化嗎?,,,P型半導(dǎo)體,N型半導(dǎo)體,3. 導(dǎo)電性,,,,,+,-,,,,,,+,-,,,雙向?qū)щ娦?三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動稱為擴(kuò)散運(yùn)動。氣體、液體、固體均有之。,P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N區(qū)。,N區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于P區(qū)。,擴(kuò)散運(yùn)動使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低,產(chǎn)生內(nèi)電場。,,,內(nèi)電場,PN 結(jié)的形成,因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動稱為漂移運(yùn)動。,

6、參與擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動的載流子數(shù)目相同,達(dá)到動態(tài)平衡,就形成了PN結(jié)。,由于擴(kuò)散運(yùn)動使P區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子,形成內(nèi)電場,從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動的進(jìn)行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N 區(qū)運(yùn)動。,內(nèi)電場,PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通: 耗盡層變窄,擴(kuò)散運(yùn)動加劇,由于外電源的作用,形成擴(kuò)散電流,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。,PN結(jié)加反向電壓截止: 耗盡層變寬,阻止擴(kuò)散運(yùn)動,有利于漂移運(yùn)動,形成漂移電流。由于電流很小,故可近似認(rèn)為其

7、截止。,,PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?必要嗎?,正向偏置,反向偏置,清華大學(xué) 華成英 hchya@tsinghua.edu.cn,四、PN 結(jié)的電容效應(yīng),1. 勢壘電容,PN結(jié)外加電壓變化時,空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化,有電荷的積累和釋放的過程,與電容的充放電相同,其等效電容稱為勢壘電容Cb。,2. 擴(kuò)散電容,PN結(jié)外加的正向電壓變化時,在擴(kuò)散路程中載流子的濃度及其梯度均有變化,也有電荷的積累和釋放的過程,其等效電容稱為擴(kuò)散電容Cd。,結(jié)

8、電容:,結(jié)電容不是常量!若PN結(jié)外加電壓頻率高到一定程度,則失去單向?qū)щ娦裕?§2 半導(dǎo)體二極管,一、二極管的組成,二、二極管的伏安特性及電流方程,三、二極管的等效電路,四、二極管的主要參數(shù),六、穩(wěn)壓二極管,五、二極管的應(yīng)用,一、二極管的組成,將PN結(jié)封裝,引出兩個電極,就構(gòu)成了二極管。,小功率二極管,大功率二極管,穩(wěn)壓二極管,發(fā)光二極管,一、二極管的組成,點(diǎn)接觸型:結(jié)面積小,結(jié)電容小,故結(jié)允許的電流小,最高工作頻率高。

9、,面接觸型:結(jié)面積大,結(jié)電容大,故結(jié)允許的電流大,最高工作頻率低。,平面型:結(jié)面積可小、可大,小的工作頻率高,大的結(jié)允許的電流大。,二、二極管的伏安特性及電流方程,開啟電壓,反向飽和電流,擊穿電壓,溫度的電壓當(dāng)量,二極管的電流與其端電壓的關(guān)系稱為伏安特性。,mA,,從二極管的伏安特性可以反映出: 1. 單向?qū)щ娦?2. 伏安特性受溫度影響,T(℃)↑→在電流不變情況下管壓降u↓ →反向飽和

10、電流IS↑,U(BR) ↓T(℃)↑→正向特性左移,反向特性下移,正向特性為指數(shù)曲線,反向特性為橫軸的平行線,增大1倍/10℃,三、二極管的等效電路,理想二極管,近似分析中最常用,導(dǎo)通時△i與△u成線性關(guān)系,應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路!,1. 將伏安特性折線化,,,,,,,2. 微變等效電路,Q越高,rd越小。,當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動態(tài)信號作用時,則可將二極管等效為一個電阻,稱為動態(tài)電阻,也就是微變等效電路。,ui=0時直

11、流電源作用,小信號作用,靜態(tài)電流,四、二極管的主要參數(shù),最大整流電流IF:最大平均值最大反向工作電壓UR:最大瞬時值反向電流 IR:即IS最高工作頻率fM:因PN結(jié)有電容效應(yīng),第四版——P20,討論:解決兩個問題,如何判斷二極管的工作狀態(tài)?什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路?,,,uD=V-iR,ID,UD,V與uD可比,則需圖解:,實(shí)測特性,對V和Ui二極管的模型有什么不同?,五、二極管的主要應(yīng)用,1.主要應(yīng)用:整流、限幅、

12、箝位、檢波、鑒頻、電子開關(guān)等,2.應(yīng)用舉例,,,(1)二極管限幅電路,,(2)二極管整流電路,(3)二極管箝位電路,單相半波整流電路,1. 工作原理,u2的正半周,D導(dǎo)通, A→D→RL→B,uO= u2 。,,u2的負(fù)半周,D截止,承受反向電壓,為u2; uO=0。,單相橋式整流電路,u2的正半周 A→D1→RL→D3→B,uO= u2,u2的負(fù)半周 B →D2→RL→D4→ A,uO= -u2,四只管子如何接?,集

13、成的橋式整流電路稱為整流堆。,1. 工作原理,若接反了呢?,,,,,六、穩(wěn)壓二極管,1. 伏安特性,進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流,不至于損壞的最大電流,由一個PN結(jié)組成,反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變,為穩(wěn)定電壓。,2. 主要參數(shù),穩(wěn)定電壓UZ、穩(wěn)定電流IZ,最大功耗PZM= IZM UZ,動態(tài)電阻rz=ΔUZ /ΔIZ,若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓,若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞,因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限

14、流電阻!,限流電阻,斜率?,七、其他類型的二極管,發(fā)光二極管,光電二極管,§1.3 晶體三極管,一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號,二、晶體管的放大原理,三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性,四、溫度對晶體管特性的影響,五、主要參數(shù),一、晶體管的結(jié)構(gòu)和符號,多子濃度高,多子濃度很低,且很薄,面積大,晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結(jié)。,中功率管,大功率管,結(jié)構(gòu)特點(diǎn)載流子濃度:發(fā)射區(qū)載流子濃度最高,集電區(qū)次之,基區(qū)很低。區(qū)的厚度:基

15、區(qū)很薄。結(jié)的厚度:集電結(jié)較發(fā)射結(jié)厚。,發(fā)射結(jié):外加(較?。┲绷髡颍ㄆ茫╇妷海ü韫?.7V,鍺管0.2V)。集電結(jié):外加(較大)直流反向(偏置)電壓(一般幾伏以上)。,二、晶體管的放大原理,擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流IE,復(fù)合運(yùn)動形成基極電流IB,漂移運(yùn)動形成集電極電流IC。,少數(shù)載流子的運(yùn)動,因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū),因基區(qū)薄且多子濃度低,使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合,因集電區(qū)面積大,在外電場作用下大部分

16、擴(kuò)散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū),基區(qū)空穴的擴(kuò)散,電流分配: IE=IB+I(xiàn)C IE-擴(kuò)散運(yùn)動形成的電流 IB-復(fù)合運(yùn)動形成的電流 IC-漂移運(yùn)動形成的電流,穿透電流,集電結(jié)反向電流,直流電流放大系數(shù),交流電流放大系數(shù),,,,為什么基極開路集電極回路會有穿透電流?,,三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性,A,A,為什么UCE增大曲線右移?,為什么像PN結(jié)的伏安特性?,為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了

17、?,1. 輸入特性,對于小功率晶體管,UCE等于1V的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于1V的所有輸入特性曲線。,2. 輸出特性,對應(yīng)于一個IB就有一條iC隨uCE變化的曲線。,,為什么uCE較小時iC隨uCE變化很大?為什么進(jìn)入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線?,飽和區(qū),放大區(qū),截止區(qū),,分成三個區(qū)域,它們的特點(diǎn)是:截止區(qū):IB≦0的區(qū)域。 特點(diǎn):①發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓或反偏;集電結(jié)反向偏壓。 ②IB

18、=0,IC=ICE0。放大區(qū):曲線間距均勻的區(qū)域。 特點(diǎn):①發(fā)射結(jié)外加正向電壓為導(dǎo)通電壓;集電結(jié)為反向偏壓,且數(shù)值較大。 ②IB>0,IC>0,IC=βIB, ΔiC=βΔiB飽和區(qū):臨界飽和線以左的區(qū)域. 特點(diǎn): ①發(fā)射結(jié)正向偏壓(大于或等于導(dǎo)通電壓),集電結(jié)正向偏壓。 ②IB>0,IC>0,但I(xiàn)C不受IB控制。 ③UCES≦0.3V。

19、,晶體管的三個工作區(qū)域,晶體管工作在放大狀態(tài)時,輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB,即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源iC 。,四、溫度對晶體管特性的影響,五、主要參數(shù),直流參數(shù): 、 、ICBO、 ICEO,c-e間擊穿電壓,最大集電極電流,最大集電極耗散功率,PCM=iCuCE,安全工作區(qū),交流參數(shù):β、α、fT(使β=1的信號頻率),極限參數(shù):ICM、PCM、U(BR)CEO,清華大學(xué) 華成

20、英 hchya@tsinghua.edu.cn,討論一,由圖示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、β。,uCE=1V時的iC就是ICM,U(BR)CEO,六、晶體管電路的基本問題和分析方法,三種工作狀態(tài),放大,I C = ? IB,發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏,飽和,I C ? ? IB,兩個結(jié)正偏,ICS = ? IBS 集電結(jié)零偏,臨界,截止,IB = 0, IC = 0,兩個結(jié)反偏,判斷導(dǎo)通還是截止:,U

21、BE > U(on) 則導(dǎo)通,以 NPN為 例:,UBE < U(on) 則截止,判斷飽和還是放大:,1. 電位判別法,NPN 管,UC > UB > UE,放大,UE < UC ? UB,飽和,PNP 管,UC < UB < UE,放大,UE > UC ? U B,飽和,2. 電流判別法,IB > IBS 則飽和,IB < IBS 則放大,三極管在線的判斷:工作

22、狀態(tài)、電極、類型、材料,[例1]:測量某NPN型硅BJT各電極對地的電壓值如下,試判別管子工作在什么區(qū)域?(1) UC =6V   UB =0.7V  UE =0V(2) UC =6V   UB =4V  UE =3.6V(3) UC =3.6V  UB =4V  UE =3.3V,解:,原則:,,對NPN管而言,放大時UC > UB > UE 對PNP管而言,放大時UC < UB <UE,(1)放大區(qū)(2)截止區(qū)(3)飽和

23、區(qū),此管為NPN型,[例2] 某放大電路中BJT三個電極的電流如圖所示。 IA=-2mA,IB=-0.04mA,IC=+2.04mA,試判斷管腳、管型。,解:電流判斷法?! ‰娏鞯恼较蚝蚄CL:IE=IB+ IC,,,,,,,,A,B,C,IA,IB,IC,C為發(fā)射極B為基極A為集電極。管型為NPN管。,例[3]:測得工作在放大電路中幾個晶體管三個電極的電位U1、U2、U3分別為: (1)U1=3.5V、U2=2.8

24、V、 U3=12V (2)U1=3V、 U2=2.8V、 U3=12V (3)U1=6V、 U2=11.3V、 U3=12V (4)U1=6V、 U2=11.8V、 U3=12V判斷它們是NPN型還是PNP型?是硅管還是鍺管?并確定e、b、c。,(1)U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 (2)U1 b、U2 e、U3 c NPN 鍺 (3)U1 c、U2 b、

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