cui晶體的生長(zhǎng)與表征【開(kāi)題報(bào)告+文獻(xiàn)綜述+畢業(yè)論文】

1、1本科畢業(yè)設(shè)計(jì)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)開(kāi)題報(bào)告開(kāi)題報(bào)告應(yīng)用化學(xué)應(yīng)用化學(xué)CuICuI晶體的生長(zhǎng)與表征晶體的生長(zhǎng)與表征一、選題的背景與意義一、選題的背景與意義閃爍晶體是由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。晶體產(chǎn)生的熒光經(jīng)光導(dǎo)管送至光電倍增管，將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榉糯蟮碾娒}沖，通過(guò)電子儀器記錄下來(lái)。近10多年來(lái)，新發(fā)現(xiàn)的閃爍體數(shù)量猛增。在新型閃爍晶體的探索研究方面，歐洲核子研究中心的CrystalClearCollabation(CCC)小組、美國(guó)勞倫斯伯克利

2、國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LawrenceBerkeleyNationallabatyLBNL)的Derenzo小組以及荷蘭Delft理工大學(xué)的vVanEijik小組等都做了大量出色的工作，令人矚目。近年來(lái)，隨著核科學(xué)技術(shù)及相關(guān)技術(shù)的飛速發(fā)展，閃爍晶體的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬。與此同時(shí)，不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹂W爍晶體也提出了更高的要求，使閃爍晶體的研究和開(kāi)發(fā)出現(xiàn)了前所未有的熱潮。閃爍晶體主要用于核物理、高能物理、天體物理、地質(zhì)勘探、石油測(cè)井、核醫(yī)學(xué)成像、工業(yè)無(wú)損檢

3、查、港口安檢等領(lǐng)域。與普通的塑料高分子、液體、液晶以及熒光粉等閃爍材料相比，閃爍晶體具有密度高、體積小、物化性能和閃爍性能優(yōu)良等顯著特點(diǎn)，使其在所有的閃爍材料中占據(jù)重要的地位（主要是無(wú)機(jī)閃爍晶體）。在閃爍晶體的開(kāi)發(fā)和性能改進(jìn)方面，俄國(guó)的Bogoditsk技術(shù)化工廠，中國(guó)的上海硅酸鹽所和北京玻璃研究院，以及烏克蘭的AmcrysH，美國(guó)的Bicron和CTI，捷克的Crytur，日本的Hi2tachi等公司也做了大量出色的工作。在閃爍晶體界

4、具有較高知名度。自20世紀(jì)80年代初，我國(guó)也先后成功地開(kāi)發(fā)了多種閃爍晶體，如:Bi4Ge3O12(BGO)，BaF2，CeF3，CsI∶Tl以及PbWO4(PWO)等，為國(guó)際高能物理實(shí)驗(yàn)裝置以及核醫(yī)學(xué)成像儀器(PET)提供了大量的晶體，在國(guó)際核探測(cè)器界，特別是高能物理實(shí)驗(yàn)領(lǐng)域享有盛譽(yù)。離子液體（室溫離子液體）（RoomTemperatureIonicLiquids），是指在室溫或接近常溫時(shí)呈液態(tài)，由有機(jī)陽(yáng)離子與無(wú)機(jī)或有機(jī)陰離子組成的鹽。

5、又稱(chēng)低溫3（一）研究?jī)?nèi)容：（一）研究?jī)?nèi)容：本實(shí)驗(yàn)主要以鹵代二烷基咪唑類(lèi)離子液體為主要研究對(duì)象，遴選出對(duì)CuI具有較好的的溶解性和結(jié)晶性能的溶劑體系。采用惰性氣體保護(hù)—降溫法，結(jié)合紫外可見(jiàn)透過(guò)譜（UvVis）分析、紅外、熱重與差熱分析等方法，研究溶液生長(zhǎng)狀態(tài)，分析生長(zhǎng)過(guò)程中各粒子的動(dòng)態(tài)變化及可能的生長(zhǎng)機(jī)理。獲得厘米尺寸高品質(zhì)的CuI晶體，并通過(guò)DTATGDSC對(duì)晶體進(jìn)行表征。（二）研究難點(diǎn)：（二）研究難點(diǎn)：1.CuI在鹵化烷基類(lèi)離子液體中

6、的生長(zhǎng)及相關(guān)規(guī)律根據(jù)離子液體的酸堿原理、絡(luò)合原理、極化理論，研究和解決CuI在鹵化二烷基類(lèi)咪唑類(lèi)離子液體中的溶解性、結(jié)晶性、穩(wěn)定性問(wèn)題。揭示CuI在離子液體中溶解性、結(jié)晶性等與離子液體的物化特性之間的規(guī)律性關(guān)系。2.半導(dǎo)體型CuI閃爍晶體的超快發(fā)光機(jī)理通過(guò)CuI單晶的激發(fā)光譜，研究晶體中電子能級(jí)結(jié)構(gòu)與能量轉(zhuǎn)換規(guī)律?？偨Y(jié)寬帶隙直接躍遷的半導(dǎo)體型閃爍晶體的發(fā)光特性。結(jié)合能級(jí)結(jié)構(gòu)和缺陷類(lèi)型判斷晶體超快衰減的發(fā)光機(jī)理。四、研究的方法與技術(shù)路線：

7、四、研究的方法與技術(shù)路線：（一）文獻(xiàn)分析法查閱相關(guān)文獻(xiàn)。分析和整理國(guó)內(nèi)外研究狀況，為本題的研究提供借鑒。（二）實(shí)驗(yàn)法采用惰性氣體保護(hù)降溫法生長(zhǎng)CuI單晶體。使用DTATGDSC分析CuI晶體對(duì)光和熱的穩(wěn)定性，測(cè)量CuI晶體的透過(guò)、紫外激發(fā)發(fā)射、X射線激發(fā)發(fā)射、X射線激發(fā)衰減等光譜，分析單晶中的能量吸收、傳遞和躍遷規(guī)律。五、研究的總體安排與進(jìn)度五、研究的總體安排與進(jìn)度：第一階段：收集并整理資料，確定選題2010年6月—10月：通過(guò)協(xié)商確定