版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、文獻(xiàn)綜述文獻(xiàn)綜述應(yīng)用化學(xué)應(yīng)用化學(xué)CuI晶體的生長(zhǎng)與表征一選題背景一選題背景(一)(一)閃爍晶體閃爍晶體閃爍晶體是由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。晶體產(chǎn)生的熒光經(jīng)光導(dǎo)管送至光電倍增管,將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榉糯蟮碾娒}沖,通過(guò)電子儀器記錄下來(lái)。近10多年來(lái),新發(fā)現(xiàn)的閃爍體數(shù)量猛增。在新型閃爍晶體的探索研究方面,歐洲核子研究中心的CrystalClearCollabation(CCC)小組、美國(guó)勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(LawrenceBerkel
2、eyNationallabatyLBNL)的Derenzo小組以及荷蘭Delft理工大學(xué)的[1]VanEijik小組[2]等都做了大量出色的工作,令人矚目。近年來(lái),隨著核科學(xué)技術(shù)以及相關(guān)技術(shù)的飛速發(fā)展,閃爍晶體的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬。與此同時(shí),不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹂W爍晶體也提出了更多更高的要求,使得閃爍晶體的研究和開發(fā)出現(xiàn)了前所未有的熱潮。閃爍晶體主要用于核物理、高能物理、天體物理、地質(zhì)勘探、石油測(cè)井、核醫(yī)學(xué)成像、工業(yè)無(wú)損檢查、港口安檢等領(lǐng)域[3
3、]。與普通的塑料高分子、液體、液晶以及熒光粉等閃爍材料相比,閃爍晶體具有密度高、體積小、物化性能和閃爍性能優(yōu)良等顯著特點(diǎn),使得閃爍晶體在所有的閃爍材料中占據(jù)了重要的地位(主要是無(wú)機(jī)閃爍晶體)。在閃爍晶體的開發(fā)和性能改進(jìn)方面,俄國(guó)的Bogoditsk技術(shù)化工廠,中國(guó)的上海硅酸鹽所和北京玻璃研究院,以及烏克蘭的AmcrysH,美國(guó)的Bicron和CTI,捷克的Crytur,日本的Hi2tachi等公司也做了大量出色的工作。在閃爍晶體界都有較
4、高知名度。自20世紀(jì)80年代初期起,我國(guó)也先后成功地開發(fā)了多種閃爍晶體,如:Bi4Ge3O12(BGO),BaF2,CeF3,CsI∶Tl以及PbWO4(PWO)等,為國(guó)際高能物理實(shí)驗(yàn)裝置以及核醫(yī)學(xué)成像儀器(PET)提供了大量的晶體,在國(guó)際核探測(cè)器界,特別是高能物理實(shí)驗(yàn)領(lǐng)域享有盛譽(yù)。不過(guò),相比而言,我國(guó)在有關(guān)新型閃爍晶體的探索性研究方面還不多見,因而迫切需要改變現(xiàn)狀,以趕超國(guó)外同行。(二)(二)離子液體簡(jiǎn)介離子液體簡(jiǎn)介離子液體(室溫離子
5、液體)(RoomTemperatureIonicLiquids),是指在室溫或接近常溫時(shí)呈液態(tài),由有機(jī)陽(yáng)離子與無(wú)機(jī)或有機(jī)陰離子組成的鹽。又稱低溫熔鹽、室溫熔鹽。2遷的半導(dǎo)體型超快閃爍晶體的研究具有重要的意義。三研究現(xiàn)狀研究現(xiàn)狀有關(guān)碘化亞銅晶體的應(yīng)用和開發(fā)研究,目前,最大的困難是CuI大單晶的獲得。一方面,溫度高于350℃時(shí)CuI就轉(zhuǎn)化為α相或β相,所以不能用熔融法生長(zhǎng);另一方面,CuI在水中的溶解度非常小(pKsp=11.96),也不能
6、用簡(jiǎn)單的溶液法生長(zhǎng)。這些使得CuI的大單晶很難獲得。目前,根據(jù)相關(guān)的文獻(xiàn)報(bào)道的生長(zhǎng)方法主要:氣相沉積法、絡(luò)合解絡(luò)法、助溶劑法、水熱法、循環(huán)蒸發(fā)法。氣相沉淀法生長(zhǎng)[15]是利用氣相的Cu、I凝聚來(lái)生長(zhǎng)晶體。缺點(diǎn)是生長(zhǎng)設(shè)備要求高,晶體的質(zhì)量差,得到的晶體尺寸只有5毫米左右。絡(luò)合解絡(luò)法[16]是利用絡(luò)合離子,增加碘化亞銅在水中的溶解度,再在溶膠凝膠中擴(kuò)散生長(zhǎng)。助溶劑法和水熱法[1719]由于生長(zhǎng)條件不易控制,所得到的晶體尺寸也都在毫米級(jí)。而要
7、進(jìn)行性能的表征,晶體的尺寸一般要達(dá)到厘米級(jí)。顧牡[20]等以乙腈為生長(zhǎng)體系,采用溶液法,生長(zhǎng)出尺寸為2mm的碘化亞銅單晶。與之不同的是,潘建國(guó)[21]等在更高的溫度下生長(zhǎng)碘化亞銅,并輔以惰性氣體保護(hù),加入還原劑等條件,從而有效避免低溫下析出配合物。該方法的缺點(diǎn)在于以乙腈為溶劑體系,其毒性不但危害人體,而且造成環(huán)境污染。這幾種方法生長(zhǎng)的晶體尺寸均達(dá)不到閃爍性能測(cè)試要求,完整的發(fā)光機(jī)理、物化性能都無(wú)法獲得。如今離子液體已被廣泛用作合成無(wú)機(jī)納
8、米材料的溶劑[2225],但目前鮮有文獻(xiàn)報(bào)道無(wú)機(jī)鹽在離子液體中的溶解度。房大維[26]等報(bào)道了LiBr在離子液體EMISE(硫酸乙酯1甲基3乙基咪唑)中的溶解度,得到了溶解度和溫度T的經(jīng)驗(yàn)公式。實(shí)驗(yàn)表明,離子液體EMISE屬于中等極性溶劑,LiBr卻仍可溶于EMISE且其溶解度隨溫度的升高而增加。劉麗紅[27]等添加離子液體[PrMIm]Br和[BuMIm]Br,可以有效減緩CuI晶體過(guò)快的生長(zhǎng)速率,使晶體結(jié)構(gòu)更加規(guī)整?;诖?,選用鹵化
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- cui晶體的生長(zhǎng)與表征【開題報(bào)告+文獻(xiàn)綜述+畢業(yè)論文】
- cui晶體的生長(zhǎng)與表征【開題報(bào)告】
- cui晶體的生長(zhǎng)與表征【畢業(yè)設(shè)計(jì)】
- cucl晶體的生長(zhǎng)及表征【文獻(xiàn)綜述】
- cucl晶體的生長(zhǎng)及表征【開題報(bào)告+文獻(xiàn)綜述+畢業(yè)論文】
- 溴酸鈉晶體的生長(zhǎng)及光學(xué)特性研究【文獻(xiàn)綜述】
- 銅基有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦晶體的性能表征與調(diào)控【文獻(xiàn)綜述】
- 開鏈冠醚合成與表征文獻(xiàn)綜述【文獻(xiàn)綜述】
- cucl晶體的生長(zhǎng)及表征【開題報(bào)告】
- 弛豫鐵電晶體和反鐵電晶體的生長(zhǎng)與表征.pdf
- ZnTe的晶體生長(zhǎng)、性能表征與缺陷研究.pdf
- cucl晶體的生長(zhǎng)及表征【畢業(yè)設(shè)計(jì)】
- 晶體生長(zhǎng)機(jī)理研究綜述
- PbWO-,4-晶體生長(zhǎng)與性能表征.pdf
- 吡唑乙酰胺配體的合成與表征【文獻(xiàn)綜述】
- 新型光學(xué)晶體材料BaTeW2O9的晶體生長(zhǎng)與性能表征.pdf
- 磷硅化合物的晶體生長(zhǎng)與性質(zhì)表征.pdf
- 溴酸鈉晶體的生長(zhǎng)及光學(xué)特性研究【開題報(bào)告+文獻(xiàn)綜述+畢業(yè)論文】
- 雜多酸類化合物的晶體生長(zhǎng)、晶體結(jié)構(gòu)與性能表征.pdf
- 四氨基鐵酞菁的合成與表征【文獻(xiàn)綜述】
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論