cucl晶體的生長(zhǎng)及表征【開(kāi)題報(bào)告】_第1頁(yè)
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1、開(kāi)題報(bào)告開(kāi)題報(bào)告應(yīng)用化學(xué)應(yīng)用化學(xué)CuClCuCl晶體的生長(zhǎng)及表征晶體的生長(zhǎng)及表征一、選題的背景與意義在研究CuCl晶體生長(zhǎng)的過(guò)程中,由于電光CuCl晶體是低溫γ相,只有在360℃以下才能穩(wěn)定存在。另外,還發(fā)現(xiàn)在200℃以上,CuCl的溶液一般也不穩(wěn)定。因此,要得到大尺寸、高光學(xué)質(zhì)量的CuCl晶體應(yīng)利用低溫助溶劑或溶劑,在200℃以下,用溶液法來(lái)生長(zhǎng)。這種生長(zhǎng)方法的關(guān)鍵就是生長(zhǎng)溶劑的選擇。過(guò)去,人們選用的溶劑一般只有分子型無(wú)機(jī)或有機(jī)溶劑,

2、但CuCl在這些溶劑中要么溶解度很小,要么結(jié)晶差,要么不能穩(wěn)定存在。很難生長(zhǎng)得到大尺寸、高質(zhì)量的單晶體。在充分調(diào)研和一定預(yù)研基礎(chǔ)上,發(fā)現(xiàn)從20世紀(jì)80年代開(kāi)始出現(xiàn)的一類全新的溶劑——離子液體,有望成為一類非常好的CuCl生長(zhǎng)溶劑。離子液體是由特定的有機(jī)正離子和無(wú)機(jī)負(fù)離子組成的液態(tài)熔鹽體系。具有非揮發(fā)性、低熔點(diǎn)(一般200℃以下)、寬液程、高穩(wěn)定性、高溶解力等特性。并可通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)年庪x子或微調(diào)陽(yáng)離子的烷基鏈,改變離子液體的物化性質(zhì)。在2

3、0世紀(jì)90年代末開(kāi)始出現(xiàn)研究熱潮,并逐漸與傳統(tǒng)的技術(shù)領(lǐng)域交叉融合,展現(xiàn)出其特定的物化性質(zhì)及特有的功能。在有機(jī)合成、催化反應(yīng)、電化學(xué)、分離提純等方面有了很好的應(yīng)用[21]。作為一類新出現(xiàn)的溶劑,對(duì)它的應(yīng)用研究還方興未艾,還有很多待開(kāi)發(fā)的研究領(lǐng)域。這也為晶體生長(zhǎng)提供了一種新的選擇方向。最后根據(jù)離子液體結(jié)構(gòu)特性和CuCl的相關(guān)性質(zhì),選擇了一些鹵化烷基類離子液體為生長(zhǎng)體系,研究CuCl在其中生長(zhǎng)結(jié)晶。鹵化烷基類離子液體內(nèi)部有很強(qiáng)的庫(kù)侖力,并有鹵

4、素陰離子存在,容易和亞銅離子配位。這樣使得它們有可能很好的溶解CuCl。最終,選擇在鹵化烷基類離子液體中生長(zhǎng)CuCl晶體。一、研究的基本內(nèi)容與擬解決的主要問(wèn)題:根據(jù)CuCl在溶劑中的特性,選擇合適的生長(zhǎng)方法,設(shè)計(jì)晶體生長(zhǎng)裝置。優(yōu)化組合溶液過(guò)飽和度、生長(zhǎng)溫區(qū)、晶體轉(zhuǎn)速等工藝參數(shù)來(lái)提高晶體的質(zhì)量。獲得厘米尺寸高質(zhì)量的CuCl晶體并進(jìn)行表征。二、研究的方法與技術(shù)路線:一、研究方法文獻(xiàn)查閱和進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。二、技術(shù)路線1、利用CuCl離子液體二元體系

5、相圖,選擇生長(zhǎng)溫度區(qū)間。根據(jù)溶液的特點(diǎn),采用惰性氣體保護(hù)下溫差法、降溫法來(lái)研究CuCl晶體材料的生長(zhǎng)方法、設(shè)備。[11]F.BloisiL.VicariLaserbeammanipulationbycompositematerialelectroopticdevicesOpticsLasersinEngineering200339(3)389408[12]T.B.YoungJ.K.SungH.K.SunC.Y.JongLinearEle

6、ctroOpticCoecientofaGaAsAl0:4Ga0:6AsPhaseModulatJournaloftheKeanPhysicalSociety200445(5)11621164[13]E.K.JamesY.AmnonElectroopticacteristicsofCdTeat3.3910.6AppliedPhysicsLetters196915(1)2627[14]S.LewonczukJ.G.GrossJ.Ringe

7、issenRealisticbstructureofcuprouschlidePhys.Rev.B1983271259–1270[15]J.RiveraL.A.MurrayP.A.HossGrowthofcopruschlidesinglecrystalsfopticalmodulatsJournalofCrystalGrowth19671(4)171176[16]T.GotoT.TakahashiM.UetaExcitonLumine

8、scenceofCuClCuBrCuISingleCrystalsJ.Phys.Sco.Japan.196824314327[17]A.F.ArmingtonJ.JohnOConnThegelgrowthofclearcuprouschlidecrystalsMaterialsResearchBulletin196710(2)907911[18]W.R.WilcoxR.A.CleyCzochralskigrowthofCuClMater

9、ialsResearchBulletin19675(2)571579[19]T.InoueM.KuriyamaH.KomatsuGrowthofCuClsinglecrystalsbythetopseededsolutiongrowthmethodJournalofCrystalGrowth1991112(2)531538[20]J..KvapilB.PernerSomepropertiesientationofCuClsinglecr

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