福州大學機械設計專業(yè)本科生畢業(yè)設計(論文)

1、福州大學機械設計專業(yè)本科生畢業(yè)設計(論文)0目錄第一章緒論???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????1第二章閃速存儲器簡介?????????????????????????????????????????????????

2、??????????????????????????????????????????????????????????????22.1閃速存儲器的產(chǎn)生和發(fā)展???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????22.2閃速存儲器的主要技術類型????????????????????????????????

3、????????????????????????????????????????????????????????????22.3閃速存儲器的結構和功能特點????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????52.4閃速存儲器的工作模式?????????????????????????????????????????

4、??????????????????????????????????????????????????????????72.5閃速存儲器在大容量存儲器領域的應用???????????????????????????????????????????????????????????????????????7第三章設計方案收集和選擇?????????????????????????????????????????????????????????

5、??????????????????????????????????????????????93.1設計思路???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????93.2方案1簡介??????????????????????????????????

6、?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????93.2方案2簡介?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????132.3方案比較

7、和最終選擇?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????15第四章設計步驟?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

8、????????????????174.1繪制設計原理圖?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????174.1.1cad軟件簡介?????????????????????????????????????????????????????????????????????

9、????????????????????????????????174.1.2在cad中制作芯片封裝???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????174.1.3放置元件及連線?????????????????????????????????????????????????????????????????????????

10、??????????????????????????204.1.4原理圖CRC校驗及檢錯?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????214.1.5創(chuàng)建網(wǎng)表????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

11、???????????????????????????????234.2繪制PCB板圖????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????234.2.1PowerPCB軟件簡介??????????????????????????????????????????????

12、???????????????????????????????????????????????234.2.2在PowerPCB中制作芯片封裝????????????????????????????????????????????????????????????????????????????244.2.3導入原理圖網(wǎng)表????????????????????????????????????????????????????????????

13、???????????????????????????????????????274.2.4手動布線???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????284.2.5覆銅??????????????????????????????????????????????????

14、?????????????????????????????????????????????????????????????????????29第五章作品調試及結論?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????325.1調試步驟?????????????????????

15、????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????325.2結論?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

16、??????????????335.3對設計結果的分析和對作品改進方面的考慮?????????????????????????????????????????????????????????????33謝辭?????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????

17、??????????????????????????34參考文獻???????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????35附錄?????????????????????????????????????????????????

18、??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????36福州大學機械設計專業(yè)本科生畢業(yè)設計(論文)2第二章閃速存儲器簡介2.1閃速存儲器的產(chǎn)生和發(fā)展閃速存儲器又稱快擦寫型存儲器、快閃存儲器、閃爍存儲器，是20世紀80年代末期Intel公司發(fā)明的一種具有高密度、低成本、非易失性等特點的讀寫半導體存儲器。它

19、突破了傳統(tǒng)的存儲器體系，改善了現(xiàn)有存儲器的特性，因而是一種全新的存儲技術[1]。存儲器的發(fā)展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業(yè)表現(xiàn)得尤為淋漓盡致。隨著半導體制造工藝的發(fā)展，主流閃速存儲器廠家采用0.18μm，甚至0.15μm的制造工藝。借助于先進工藝的優(yōu)勢，閃速存儲器的容量可以更大：N技術將出現(xiàn)256Mb的器件，N和技術已經(jīng)有1Gb的器件；同時芯片的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到B

20、GA封裝，閃速存儲器已經(jīng)變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，逐漸下降到5V、3.3V、2.7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了便攜式產(chǎn)品的發(fā)展[2]。另一方面，新技術、新工藝也推動閃速存儲器的位成本大幅度下降：采用N技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，N技術和技術的閃速存儲器將突破1MB1美元的價位，使其具有了取代傳統(tǒng)磁盤存儲器的潛質。世界閃速存

21、儲器市場發(fā)展十分迅速，其規(guī)模接近DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場的14，與DRAM和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）一起成為存儲器市場的三大產(chǎn)品。閃速存儲器的迅猛發(fā)展歸因于資金和技術的投入，高性能低成本的新產(chǎn)品不斷涌現(xiàn)，刺激了閃速存儲器更廣泛的應用，推動了行業(yè)的向前發(fā)展。2.2閃速存儲器的主要技術類型目前，世界各大存儲器制造商在閃速存儲器中主要采用的技術有N、、N和EEPROM派生等。1、N技術N技術又可分為N和DIN兩種：①N技術：N